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OOK/FSK調制選擇射頻特性符合ETSI/FCC規范

發布時間:2020/12/18 22:44:20 訪問次數:1584

Sub-1GHz OOK/FSK RF發射器A/D Flash MCU BC66F2133,適用于1GHz以下免執照的ISM頻段,提供OOK/FSK調制選擇,射頻特性符合ETSI/FCC規范。適用于無線吊扇、無線門鈴、RF開關、智能居家、冷鏈溫度偵測等產品,延伸無線控制功能。

BC66F2133提供16-pin NSOP-EP小封裝,符合-40℃~85℃工規溫度范圍,Holtek有專業的RF服務團隊提供技術支持,快速導入各項產品開發應用。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:整流器 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:15 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:2.9 V 最大浪涌電流:150 A Ir - 反向電流 :60 uA 恢復時間:50 ns 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.3 mm (Max) 長度:10.4 mm (Max) 產品:Rectifiers 端接類型:Through Hole 寬度:4.6 mm (Max) 商標:STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產品類型:Rectifiers 1000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:6 g  

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。  

NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)





Sub-1GHz OOK/FSK RF發射器A/D Flash MCU BC66F2133,適用于1GHz以下免執照的ISM頻段,提供OOK/FSK調制選擇,射頻特性符合ETSI/FCC規范。適用于無線吊扇、無線門鈴、RF開關、智能居家、冷鏈溫度偵測等產品,延伸無線控制功能。

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NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。  

NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。


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