使用平面脈沖變壓器與更傳統光耦合器和信號變壓器一起工作
發布時間:2024/1/1 0:00:04 訪問次數:18
隔離技術用于隔離反饋。這項專利隔離技術稱為Inde-Flux變壓器技術,已向Würth Elektronik eiSos公司授權。Inde-Flux變壓器(部件編號750318659)是Würth Elektronik eiSos利用該專利制造的第一款變壓器,將作為Microchip 15W MCP1012離線參考設計的組件.
全新參考設計還可以選擇采用更傳統的方法,使用平面脈沖變壓器,與更傳統的光耦合器和信號變壓器一起工作。
SC910GS與SC410GS創新性地采用區域HDR技術.
制造商:Murata產品種類:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel電容:0.033 uF電介質:X7R容差:10 %外殼代碼 - in:2220外殼代碼 - mm:5750高度:2.5 mm最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C
產品:Safety Certified MLCCs端接類型:SMD/SMT系列:長度:5.7 mm封裝 / 箱體:2220 (5750 metric)類型:Safety Standard Certified Class X1/Y2電壓額定值 AC:250 VAC寬度:5 mm商標:Murata Electronics電容-nF:33 nF電容-pF:33000 pF產品類型:Ceramic Capacitors500子類別:Capacitors單位重量:480 mg
Global Shutter由于pixel結構和工藝的復雜性,尤其是大版面的Global Shutter 技術更具有設計挑戰性,因此過去主要為國外技術所壟斷。
采用Voltage Domain SmartGS®技術,實現了業界首家BSI/3D stack BSI Global Shutter 圖像傳感器的研發和量產,憑借第一代SmartGS®技術在感度、寬動態、短曝光時間控制等方面的突破性優勢,思特威目前已躍居國內Global Shutter CIS出貨量龍頭地位。
在信號燈區域與其他區域采用不同的曝光時間進行成像,動態范圍提升了24dB.
隔離技術用于隔離反饋。這項專利隔離技術稱為Inde-Flux變壓器技術,已向Würth Elektronik eiSos公司授權。Inde-Flux變壓器(部件編號750318659)是Würth Elektronik eiSos利用該專利制造的第一款變壓器,將作為Microchip 15W MCP1012離線參考設計的組件.
全新參考設計還可以選擇采用更傳統的方法,使用平面脈沖變壓器,與更傳統的光耦合器和信號變壓器一起工作。
SC910GS與SC410GS創新性地采用區域HDR技術.
制造商:Murata產品種類:多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMTRoHS: 封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel電容:0.033 uF電介質:X7R容差:10 %外殼代碼 - in:2220外殼代碼 - mm:5750高度:2.5 mm最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 125 C
產品:Safety Certified MLCCs端接類型:SMD/SMT系列:長度:5.7 mm封裝 / 箱體:2220 (5750 metric)類型:Safety Standard Certified Class X1/Y2電壓額定值 AC:250 VAC寬度:5 mm商標:Murata Electronics電容-nF:33 nF電容-pF:33000 pF產品類型:Ceramic Capacitors500子類別:Capacitors單位重量:480 mg
Global Shutter由于pixel結構和工藝的復雜性,尤其是大版面的Global Shutter 技術更具有設計挑戰性,因此過去主要為國外技術所壟斷。
采用Voltage Domain SmartGS®技術,實現了業界首家BSI/3D stack BSI Global Shutter 圖像傳感器的研發和量產,憑借第一代SmartGS®技術在感度、寬動態、短曝光時間控制等方面的突破性優勢,思特威目前已躍居國內Global Shutter CIS出貨量龍頭地位。
在信號燈區域與其他區域采用不同的曝光時間進行成像,動態范圍提升了24dB.