25MHz的HCS12核電磁輻射低和RF噪聲敏感小
發布時間:2021/1/9 22:34:06 訪問次數:199
兩種器件都有一個25MHz的HCS12核；16通道，10位的ADC；8通道，16位能記錄和比較的定時器；4通道，16位或者8通道，8位的脈寬調制器(PWM)，兩個異步串行通信接口，一個I2C通信口，并且電磁輻射低和RF噪聲敏感小。
集成了256 M位NAND閃存以及可選的32M位UtRAM的128M位SDRAM的大容量多片封裝(MCP)的器件開始供貨給3G移動手機制造商。
開關頻率:66 kHz 占空比 - 最大:73 % 工作電源電流:165 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 輸出電流:360 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 絕緣:Non-Isolated
工作電源電流:141 uA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C 輸出電流:270 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 絕緣:Non-Isolated 輸出端數量:1 Output 產品:AC/DC Converters 類型:Off Line Converter 商標:Power Integrations
128M位SDRAM最高頻率為100MHz，電壓1.8V。256M位NAND閃存工作電壓為1.8V，具有16位數據總線。供選擇的32M位UtRAM響應時間85ns，與傳統SRAM的六個晶體管單元結構不同， 它的單元結構是一個晶體管和一個電容。
LSE141 PC卡和LSE139 小型閃存(Flash)卡是一種可以使PC機和PDA實現即時互聯的插件產品。
LSE019打印機適配器是提供藍牙支持的點對點打印功能的無線打印模塊。它可以與支持無線打印協議和串口打印的產品共同使用。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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128M位SDRAM最高頻率為100MHz，電壓1.8V。256M位NAND閃存工作電壓為1.8V，具有16位數據總線。供選擇的32M位UtRAM響應時間85ns，與傳統SRAM的六個晶體管單元結構不同， 它的單元結構是一個晶體管和一個電容。
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