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3D堆疊技術使OmniVision提升了像素和暗電流性能

發布時間:2021/1/16 16:04:44 訪問次數:268

RC32438中的DDR存儲器控制器給系統設計者提供比SDRAM解決方案更高的存儲器帶寬。

MicrowireTM串行EEPROM 93XX46A/B, 93XX56A/B 和93XX66A/B。它的容量從1Kb到4Kb,封裝為6引腳的SOT-23,很適合用在手提和手持設備。93XX46A, 93XX56A 和93XX66A支持8位字長,93XX46B, 93XX56B 和93XX66B則支持16位字長。

作為比較,6引腳的SOT-23封裝的占位面積為9.26平方毫米,比8引腳窄體SOIC減少了72%,8引腳TSSOP減少了56%。

電源開關、電感器和所有的支持組件。

可在一個 3.4V 至 40V輸入電壓范圍內工作,支持 0.97V 至 18V輸出電壓范圍200kHz 至 3MHz開關頻率范圍 (各由單個電阻器設定)。

僅需采用輸入輸出濾波電容器便可構成完整的設計。

由于采用了扁平的封裝,利用 PC 板底部上未用空間,以實現高密度負載點調節。

OmniVision的PureCel Plus-S堆疊架構使OX03C10的像素性能比非堆疊技術更有優勢,此外,它還具有更小的裸片和更低的功耗。例如,3D堆疊技術使OmniVision提升了像素和暗電流性能,使其2.5MP汽車觀察傳感器的信噪比比上一代產品提高了20%。

這一聯合解決方案為汽車行業提供了功耗最低的汽車觀察相機,具有120-dB HDR和60幀/秒的全2.5MP分辨率。通過擁有ISP核心,Nextchip可以基于其在圖像處理方面的知識和經驗,為每個客戶提供合適的圖像質量。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

RC32438中的DDR存儲器控制器給系統設計者提供比SDRAM解決方案更高的存儲器帶寬。

MicrowireTM串行EEPROM 93XX46A/B, 93XX56A/B 和93XX66A/B。它的容量從1Kb到4Kb,封裝為6引腳的SOT-23,很適合用在手提和手持設備。93XX46A, 93XX56A 和93XX66A支持8位字長,93XX46B, 93XX56B 和93XX66B則支持16位字長。

作為比較,6引腳的SOT-23封裝的占位面積為9.26平方毫米,比8引腳窄體SOIC減少了72%,8引腳TSSOP減少了56%。

電源開關、電感器和所有的支持組件。

可在一個 3.4V 至 40V輸入電壓范圍內工作,支持 0.97V 至 18V輸出電壓范圍200kHz 至 3MHz開關頻率范圍 (各由單個電阻器設定)。

僅需采用輸入輸出濾波電容器便可構成完整的設計。

由于采用了扁平的封裝,利用 PC 板底部上未用空間,以實現高密度負載點調節。

OmniVision的PureCel Plus-S堆疊架構使OX03C10的像素性能比非堆疊技術更有優勢,此外,它還具有更小的裸片和更低的功耗。例如,3D堆疊技術使OmniVision提升了像素和暗電流性能,使其2.5MP汽車觀察傳感器的信噪比比上一代產品提高了20%。

這一聯合解決方案為汽車行業提供了功耗最低的汽車觀察相機,具有120-dB HDR和60幀/秒的全2.5MP分辨率。通過擁有ISP核心,Nextchip可以基于其在圖像處理方面的知識和經驗,為每個客戶提供合適的圖像質量。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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