256Mb NOR型閃存uPD29F256115 和uPD29F256415，它采用多級單元(MLC)技術提供更低成本的存儲器產品，以適合用于需要增加功能的移動應用。

采用MLC技術，NEC宣稱已能增加存儲器容量，而存儲器單元的尺寸卻減小一半。每個芯片有更多的存儲，設計者由于在每個設計中采用較少的芯片而維持低成本。

基于MLC技術的閃存速度比非MLC器件慢。為解決這個問題，NEC公司采用讀電路設計，以允許NOR型閃存在讀周期中以更快的讀取速度來運行。

制造商:Vishay 產品種類:穩壓二極管 Vz - 齊納電壓:200 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-219AB-2 Pd-功率耗散:800 mW 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.13 %/C 齊納電流:5 uA Zz - 齊納阻抗:500 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 175 C 配置:Single 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列: 高度:1.08 mm 長度:2.9 mm 端接類型:SMD/SMT 寬度:1.9 mm 商標:Vishay Semiconductors Ir - 反向電流 :5 uA 產品類型:Zener Diodes 3000 子類別:Diodes & Rectifiers 商標名: Vf - 正向電壓:1.2 V 單位重量:150 mg

這就使該公司能開發出低成本高容量模塊，達到非MLC產品同樣的讀取速度。

NEC公司采用0.15微米技術來提供有256Mb容量的NOR型閃存，其讀取速度為85ns，頁讀取速度為25ns。

uD29F256115采用32位數據總線，進一步優化在移動應用方面的性能。

器件可以是精細間隔的FBGA封裝和堆棧式多片封裝(S-MCP)，它結合了閃存和移動專用的RAM或靜態RAM。