14位25Mbps模數轉換器(ADC)LTC1745和LTC1746
發布時間:2021/1/21 20:17:45 訪問次數:493
14位25Mbps模數轉換器(ADC)LTC1745和LTC1746，它能節省功率和能數字化高頻信號。
這兩種產品的信噪比(SNR)為77.5dB,無毛刺動態范圍(SFDR)為 99dB，LTC的功耗只有390mW。此外，該公司還推出引腳兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745，SNR為72.5dB,SDFR 為96dB。
兩種器件的輸入范圍允許專用的動態范圍可優化在±1V 到±1.6V。如果輸入信號超出范圍，在過流引腳會有顯示。
此外也提供獨立的輸出電源引腳，能連接到任何的CMOS邏輯電平系列產品。
制造商:Texas Instruments 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:CDIP-8 通道數量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V GBP-增益帶寬產品:700 kHz 每個通道的輸出電流:30 mA SR - 轉換速率 :0.3 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:150 nA 工作電源電流:350 uA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 輸入電壓噪聲密度:40 nV/sqrt Hz 封裝:Tube 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:9.6 mm 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:6.67 mm 商標:Texas Instruments 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:32 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數量1 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB
單一的氧化物缺陷不會導致像在傳統浮置柵非易失性存儲器中那樣的電荷完全損失。硅納米晶體存儲器是潛在產品能替代傳統的閃存，它廣泛應用在汽車電子，家用電器，無線設備和工業控制。
閃存允許制造商存儲軟件代碼和數據。這種靈活性允許制造商在開發階段能經常重新編程微控制器或在現場存儲控制器的數據。
它能很快適應快速變化的市場需要，或在現場遙控修改有問題的軟件,能增加可靠性和可量測性.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
14位25Mbps模數轉換器(ADC)LTC1745和LTC1746，它能節省功率和能數字化高頻信號。
這兩種產品的信噪比(SNR)為77.5dB,無毛刺動態范圍(SFDR)為 99dB，LTC的功耗只有390mW。此外，該公司還推出引腳兼容的12位25Mbps的ADC LTC1745，SNR為72.5dB,SDFR 為96dB。
兩種器件的輸入范圍允許專用的動態范圍可優化在±1V 到±1.6V。如果輸入信號超出范圍，在過流引腳會有顯示。
此外也提供獨立的輸出電源引腳，能連接到任何的CMOS邏輯電平系列產品。
制造商:Texas Instruments 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:CDIP-8 通道數量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V GBP-增益帶寬產品:700 kHz 每個通道的輸出電流:30 mA SR - 轉換速率 :0.3 V/us Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV 電源電壓-最小:3 V 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 125 C Ib - 輸入偏流:150 nA 工作電源電流:350 uA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB to 80 dB en - 輸入電壓噪聲密度:40 nV/sqrt Hz 封裝:Tube 放大器類型:High Gain Amplifier 高度:4.57 mm 輸入類型:Rail-to-Rail 長度:9.6 mm 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:6.67 mm 商標:Texas Instruments 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:32 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers 工廠包裝數量1 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB
單一的氧化物缺陷不會導致像在傳統浮置柵非易失性存儲器中那樣的電荷完全損失。硅納米晶體存儲器是潛在產品能替代傳統的閃存，它廣泛應用在汽車電子，家用電器，無線設備和工業控制。
閃存允許制造商存儲軟件代碼和數據。這種靈活性允許制造商在開發階段能經常重新編程微控制器或在現場存儲控制器的數據。
它能很快適應快速變化的市場需要，或在現場遙控修改有問題的軟件,能增加可靠性和可量測性.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
