VTT-LDO 為 2A 灌/拉電流跟蹤系統終端調節器。它專門設計用于低成本/少量外部元器件的系統，這些系統對空間利用率要求很高。

并聯連接兩個10μF陶瓷電容器，以最大程度地減小ESR和ESL的影響。如果ESR大于10mΩ，則在輸出和VTTSEN輸入之間插入一個R-C濾波器，以實現環路穩定性。R-C濾波器的時間常數應幾乎等于或略低于輸出電容器及其ESR的時間常數。

由于MPQ20073是線性穩壓器，因此VTT電流在源極和吸收極兩個方向上的流動都會產生器件的功耗。

產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:75 V Id-連續漏極電流:140 A Rds On-漏源導通電阻:7 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V Qg-柵極電荷:150 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:330 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 長度:10 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:4.4 mm 商標:Infineon / IR 產品類型:MOSFET 工廠包裝數量:1000 子類別:MOSFETs 單位重量:6 g

高精度電源轉換、測量和控制系統等解決方案，這方面的技術更一直領先全球。該公司推出一款全新的 Paramount HP 10013 射頻電源。新產品推出之后，該公司旗艦產品 Paramount RF (射頻) 電源系列將會有更多型號可供選擇。

Advanced Energy 的等離子工藝設備電源系統適用于半導體蝕刻、介電質蝕刻、沉積、濺鍍、離子植入等半導體和等離子薄膜工藝設備，Paramount HP 10013 沿用這種在市場一直居領導地位的等離子工藝電源技術，但性能則有進一步的提升.

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