650V降低開關損耗提高高頻應用的效率
發布時間:2021/1/26 17:58:21 訪問次數:178
10個新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)設計,旨在通過降低開關損耗來提高高頻應用的效率,而不受溫度變化的影響,從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。
二極管的MPS設計可屏蔽來自肖特基勢壘的電場,以減少泄漏電流,同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與純硅肖特基器件相比,這些二極管可處理相同水平的電流,而正向壓降僅稍有增加,同時顯示出更高的堅固性。
SmartLynq+模塊的主要功能和接口:
主機端USB 3.0連接器,千兆以太網連接到網絡,實現遠程訪問
高速調試端口(HSDP),用于更快的編程、調試和高速串行跟蹤
JTAG (PC4頭部)提供高達100MHz的速度
8位通用I/O (GPIO)端口,用于目標板上的各種基本輸入/輸出操作
并聯跟蹤用Mictor-38連接器
器件用于服務器,電信設備,UPS和太陽能逆變器的反激式電源和LLC轉換器中的PFC和輸出整流,它們為設計人員提供了在系統優化方面更大的靈活性。這些二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝,額定電流范圍為4 A至40 A,可在+175°C的高溫下工作。
器件用于服務器,電信設備,UPS和太陽能逆變器的反激式電源和LLC轉換器中的PFC和輸出整流,它們為設計人員提供了在系統優化方面更大的靈活性。這些二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝,額定電流范圍為4 A至40 A,可在+175°C的高溫下工作。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
10個新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)設計,旨在通過降低開關損耗來提高高頻應用的效率,而不受溫度變化的影響,從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。
二極管的MPS設計可屏蔽來自肖特基勢壘的電場,以減少泄漏電流,同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與純硅肖特基器件相比,這些二極管可處理相同水平的電流,而正向壓降僅稍有增加,同時顯示出更高的堅固性。
SmartLynq+模塊的主要功能和接口:
主機端USB 3.0連接器,千兆以太網連接到網絡,實現遠程訪問
高速調試端口(HSDP),用于更快的編程、調試和高速串行跟蹤
JTAG (PC4頭部)提供高達100MHz的速度
8位通用I/O (GPIO)端口,用于目標板上的各種基本輸入/輸出操作
并聯跟蹤用Mictor-38連接器
器件用于服務器,電信設備,UPS和太陽能逆變器的反激式電源和LLC轉換器中的PFC和輸出整流,它們為設計人員提供了在系統優化方面更大的靈活性。這些二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝,額定電流范圍為4 A至40 A,可在+175°C的高溫下工作。
器件用于服務器,電信設備,UPS和太陽能逆變器的反激式電源和LLC轉換器中的PFC和輸出整流,它們為設計人員提供了在系統優化方面更大的靈活性。這些二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝,額定電流范圍為4 A至40 A,可在+175°C的高溫下工作。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)