氮化鎵集成電路技術的最新進展有望改變飛行時間激光雷達系統的設計方法。

在單個芯片上集成氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）和驅動器，可產生功能強大、速度超快的IC，并且縮小系統的尺寸和降低成本，從而在消費類應用中得以普及。

全新的氮化鎵集成電路系列將顯著提升性能，同時縮小飛行時間激光雷達系統的尺寸和降低成本。

制造商:Vishay 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產品類型:ESD Suppressors 極性:Unidirectional 工作電壓:5 V 通道數量:2 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 擊穿電壓:6.8 V 鉗位電壓:7 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):480 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:30 kV Vesd - 靜電放電電壓氣隙:30 kV Cd - 二極管電容 :260 pF Ipp - 峰值脈沖電流:30 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:GSOT03C to GSOT36C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Vishay Semiconductors 工廠包裝數量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:9 mg

安全卸載包括IPsec、kTLS和SSL/TLS，而加速存儲應用則包括Virtio.blk、NVMe™ over TCP、Ceph以及壓縮和加密業務。

Vmvare正為要求更高安全性的下一代應用定義混合云架構。SmartNIC將在VMware Cloud Foundation架構中發揮關鍵作用，為客戶提供一個跨越裸機和虛擬化環境的統一管理.

安全和彈性模型，在這些環境中，賽靈思Alveo SN1000 SmartNIC的可組合性將為客戶提供靈活、集成的優質解決方案。