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650V超級結功率MOSFET D2PAK封裝小27%

發布時間:2021/3/16 23:08:01 訪問次數:1267

TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日開始批量出貨。

TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。

它也屬于4引腳型封裝,能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接,從而減小封裝中源極線的電感,進而發揮MOSFET實現高速開關性能,抑制開關時產生的振蕩。

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續漏極電流:63 A Rds On-漏源導通電阻:13.9 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:81 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:143 W 通道模式:Enhancement 商標名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon / IR 正向跨導 - 最小值:62 S 下降時間:34 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:42 ns 工廠包裝數量:2000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:42 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:4 g


高度集成的5mm × 3mm FEM產品,設計用于Wi-Fi 6 (802.11ax) 應用,可顯著加快無線下載/上傳速度、提高數據傳輸容量、改善人流擁擠場所的無線網絡連接質量以及延長物聯網 (IoT) 客戶端設備的電池續航時間,非常適合用于多種Wi-Fi 6應用,包括無線路由器、客戶經營場所設備和無線接入點。

高性能FEM,QPF4516B可實現33dB的發射增益和15dB的接收增益,噪聲系數為2dB。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日開始批量出貨。

TOLL是一種表面貼裝型封裝,所需空間比常見的D2PAK封裝小27%。

它也屬于4引腳型封裝,能夠對柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接,從而減小封裝中源極線的電感,進而發揮MOSFET實現高速開關性能,抑制開關時產生的振蕩。

制造商:Infineon 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續漏極電流:63 A Rds On-漏源導通電阻:13.9 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:81 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:143 W 通道模式:Enhancement 商標名:StrongIRFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長度:6.5 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標:Infineon / IR 正向跨導 - 最小值:62 S 下降時間:34 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:42 ns 工廠包裝數量:2000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:42 ns 典型接通延遲時間:18 ns 單位重量:4 g


高度集成的5mm × 3mm FEM產品,設計用于Wi-Fi 6 (802.11ax) 應用,可顯著加快無線下載/上傳速度、提高數據傳輸容量、改善人流擁擠場所的無線網絡連接質量以及延長物聯網 (IoT) 客戶端設備的電池續航時間,非常適合用于多種Wi-Fi 6應用,包括無線路由器、客戶經營場所設備和無線接入點。

高性能FEM,QPF4516B可實現33dB的發射增益和15dB的接收增益,噪聲系數為2dB。


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