與傳統的DSP解決方案相比，該系列具有更小的時延，更低的功耗和更小的尺寸，以及更高的集成度（包括集成的MCU），從而進一步簡化和加快光模塊系統設計。

該系列CDR已通過-40至85℃溫度范圍認證，使其也將成為5G前傳和中傳基礎設施中光互連通信的理想選擇。

制造商:Vishay 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:3.16 A Rds On-漏源導通電阻:47 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:3 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:0.75 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:1.6 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導 - 最小值:7 S 下降時間:6 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 工廠包裝數量:3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:14 ns 典型接通延遲時間:7 ns 零件號別名:SI2306BDS-E3 單位重量:8 mg

高集成度消除了射頻復雜性，避免多次原型制作，元器件數量減少則有助于提高產量，縮短認證周期時間。第2代產品完善了去年發布的初代系列產品，提高了頻率和功率級。

兩代產品具有相同的引腳輸出格式，讓射頻設計人員能夠快速從一種設計升級到另一種設計，從而縮短整體開發時間。

第2代Airfast MCM包括10款新器件，覆蓋從2.3至4.0 GHz的5G頻段，平均輸出功率為37至39 dBm。這些器件現已經過認證，恩智浦的全新射頻功率參考電路數字資料庫射頻電路集將會支持它們。

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