固態盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術
發布時間:2021/3/29 8:25:55 訪問次數:503
144層QLC（四層單元）技術的客戶端固態盤——英特爾®固態盤670p。
英特爾固態盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術，每裸片容量為128GB。與上一代固態盤相比，英特爾固態盤670p的讀取性能提高了2倍，隨機讀取性能提高了38%，時延降低多達50%。
與英特爾®QLC 3D NAND固態盤相比,670p提供更高的性能,包括2倍順序讀取和20%耐久性提升。
通過提供峰值性能、最高2TB的容量和增強的可靠性，英特爾固態盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案。
制造商:Cypress Semiconductor 產品種類:靜態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 存儲容量:4 Mbit 組織:256 k x 16 訪問時間:10 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:100 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-44 封裝:Tray 存儲類型:SRAM 系列:CY7C1041CV33 類型:Asynchronous 商標:Cypress Semiconductor 端口數量:1 濕度敏感性:Yes 產品類型:SRAM 工廠包裝數量:135 子類別:Memory & Data Storage
RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列，將激光雷達 (LiDAR) 傳感器能力擴展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規的SiPM產品，應對汽車行業及其他領域LiDAR應用中不斷增長的需求。
LiDAR正普遍用于全自動駕駛的使用案例，例如機器人運輸，以安全地實時導航環境。
受益于ArrayRDM-0112A20-QFN的高PDE，支持這些功能的LiDAR系統已被證明可在300米以上的距離測距。更遠的距離使車輛有更多時間來應對意外障礙。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
144層QLC（四層單元）技術的客戶端固態盤——英特爾®固態盤670p。
英特爾固態盤670p基于英特爾144層QLC 3D NAND技術，每裸片容量為128GB。與上一代固態盤相比，英特爾固態盤670p的讀取性能提高了2倍，隨機讀取性能提高了38%，時延降低多達50%。
與英特爾®QLC 3D NAND固態盤相比,670p提供更高的性能,包括2倍順序讀取和20%耐久性提升。
通過提供峰值性能、最高2TB的容量和增強的可靠性，英特爾固態盤670p是輕薄型筆記本電腦理想的存儲解決方案。
制造商:Cypress Semiconductor 產品種類:靜態隨機存取存儲器 RoHS: 詳細信息 存儲容量:4 Mbit 組織:256 k x 16 訪問時間:10 ns 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流—最大值:100 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-44 封裝:Tray 存儲類型:SRAM 系列:CY7C1041CV33 類型:Asynchronous 商標:Cypress Semiconductor 端口數量:1 濕度敏感性:Yes 產品類型:SRAM 工廠包裝數量:135 子類別:Memory & Data Storage
RDM系列硅光電倍增管 (SiPM)陣列，將激光雷達 (LiDAR) 傳感器能力擴展到其廣泛的智能感知方案陣容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市場上首款符合車規的SiPM產品，應對汽車行業及其他領域LiDAR應用中不斷增長的需求。
LiDAR正普遍用于全自動駕駛的使用案例，例如機器人運輸，以安全地實時導航環境。
受益于ArrayRDM-0112A20-QFN的高PDE，支持這些功能的LiDAR系統已被證明可在300米以上的距離測距。更遠的距離使車輛有更多時間來應對意外障礙。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-25全新 Riedon高功率厚膜電阻 PFS35 系列
- 11-25業界首款300mm（12英寸）碳化硅襯底
- 11-253Dblox技術A16 1.6nm工藝簡述
- 11-25快速開關場效應晶體管優勢及關鍵技術
- 11-25精密分流電阻器和電流觀察電阻器（CVR）優特點
- 11-25新型IsoVu隔離電流探頭應用詳情
- 11-23模擬和混合信號平臺Treo詳情
- 11-23PXI和LXI模塊化解決方案解讀
- 11-23AN-13-0004_CAN收發器結構參數特點應用設計
- 11-23屏蔽柵槽溝技術 (SGT)主要特性及功能應用
- 11-23第一代SGT MOSFET系列技術結構參數封裝
- 11-23全球首顆GSE DPU芯片發布
公網安備44030402000607
