聚合物自恢復保險絲直流擊穿電壓高達5000V
發布時間:2021/3/30 7:32:46 訪問次數:350
從聯網和AI分析到金融交易,這些當今要求最嚴苛、最復雜的應用亟需低時延和實時性能。而這一性能水準的實現,始終受限于硬件開發受成本高昂且周期漫長。
借助這些全新產品及解決方案,賽靈思正為軟件開發者掃清障礙,助其在Alveo加速器卡上快速打造和部署軟件定義、硬件加速型應用。
自恢復保險絲(PPTC:聚合物自恢復保險絲)是用于過電流保護的正溫度系數聚合物熱敏電阻,可以代替電流保險絲。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 18 S
下降時間: 3.2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.2 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14.3 ns
典型接通延遲時間: 4.7 ns
零件號別名: BSZ0803LS SP001614108
BSZ0803LS SP001614108
擊穿電壓的范圍構成了過壓保護的范圍。固態放電管在使用時可以直接跨被保護電路的兩端連接。玻璃放電管(強力放電管,防雷管)是20世紀末引入的一種新型防雷裝置。
它具有陶瓷氣體放電管和半導體過電壓保護器的優點:高絕緣電阻(≥10 ^8Ω),小電極間電容(≤0.8pF),大放電電流(高達3 kA),雙向對稱,響應速度快速度快(沖擊擊穿沒有滯后現象),性能穩定可靠和導電除了具有高的直流擊穿電壓(高達5000V),體積小和壽命長的優點外,后部電壓也更低。
缺點是直流擊穿電壓的色散較大(±20%)。
從聯網和AI分析到金融交易,這些當今要求最嚴苛、最復雜的應用亟需低時延和實時性能。而這一性能水準的實現,始終受限于硬件開發受成本高昂且周期漫長。
借助這些全新產品及解決方案,賽靈思正為軟件開發者掃清障礙,助其在Alveo加速器卡上快速打造和部署軟件定義、硬件加速型應用。
自恢復保險絲(PPTC:聚合物自恢復保險絲)是用于過電流保護的正溫度系數聚合物熱敏電阻,可以代替電流保險絲。
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 18 S
下降時間: 3.2 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.2 ns
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14.3 ns
典型接通延遲時間: 4.7 ns
零件號別名: BSZ0803LS SP001614108
BSZ0803LS SP001614108
擊穿電壓的范圍構成了過壓保護的范圍。固態放電管在使用時可以直接跨被保護電路的兩端連接。玻璃放電管(強力放電管,防雷管)是20世紀末引入的一種新型防雷裝置。
它具有陶瓷氣體放電管和半導體過電壓保護器的優點:高絕緣電阻(≥10 ^8Ω),小電極間電容(≤0.8pF),大放電電流(高達3 kA),雙向對稱,響應速度快速度快(沖擊擊穿沒有滯后現象),性能穩定可靠和導電除了具有高的直流擊穿電壓(高達5000V),體積小和壽命長的優點外,后部電壓也更低。
缺點是直流擊穿電壓的色散較大(±20%)。