處理器頻寬超越3GHz的強大功能以解決EMI問題
發布時間:2021/4/12 19:32:15 訪問次數:607
內置了軟起動,工作電壓為2.5V到6.5V,待機電流小于1uA,可用于數字電視(DTV(,機頂盒(STB),手機和網絡電話(VoIP).
FSEZ1216是集成功率MOSFET的初級邊PWM控制器,能對低功率反激轉換器增強性能.起動電流僅為10uA, 工作電流僅為3.5mA.
FSEZ1216具有恒壓(CV)和恒流(CC)控制而不需要次級反饋電路,固定的PWM屏障42kHz,并具有跳頻特性,以解決EMI問題.
FSEZ1216可用作手機,無繩電話,PDA,數碼相機的電池充電器,替代線性變壓器和RCC SMPS.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:1.6 A Rds On-漏源導通電阻:210 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6.4 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:806 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長度:3.04 mm 產品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:2.4 S 下降時間:7.6 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:3 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:11.1 ns 典型接通延遲時間:1.5 ns 單位重量:8 mg
透過這項優勢,消費者將可享受到處理器頻寬超越3GHz的強大功能。矽統科技以領導的技術切入這一群體,提供符合市場需求新趨勢的高性能產品。
SiSR658是矽統科技采用最近開發成功的新一代Direct RDRAM技術研發出的,成為全球第一顆同時支持4i與16dx2雙通道PC1066 RDRAM的芯片組。
更進一步將Rambus內存模組的性能發揮得淋漓盡致,南北橋將徹底達成高性能、低功耗與高度兼容的整體優勢。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
內置了軟起動,工作電壓為2.5V到6.5V,待機電流小于1uA,可用于數字電視(DTV(,機頂盒(STB),手機和網絡電話(VoIP).
FSEZ1216是集成功率MOSFET的初級邊PWM控制器,能對低功率反激轉換器增強性能.起動電流僅為10uA, 工作電流僅為3.5mA.
FSEZ1216具有恒壓(CV)和恒流(CC)控制而不需要次級反饋電路,固定的PWM屏障42kHz,并具有跳頻特性,以解決EMI問題.
FSEZ1216可用作手機,無繩電話,PDA,數碼相機的電池充電器,替代線性變壓器和RCC SMPS.
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:1.6 A Rds On-漏源導通電阻:210 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:6.4 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:806 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.02 mm 長度:3.04 mm 產品:MOSFET Small Signal 系列: 晶體管類型:1 P-Channel 類型:MOSFET 寬度:1.4 mm 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:2.4 S 下降時間:7.6 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:3 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:11.1 ns 典型接通延遲時間:1.5 ns 單位重量:8 mg
透過這項優勢,消費者將可享受到處理器頻寬超越3GHz的強大功能。矽統科技以領導的技術切入這一群體,提供符合市場需求新趨勢的高性能產品。
SiSR658是矽統科技采用最近開發成功的新一代Direct RDRAM技術研發出的,成為全球第一顆同時支持4i與16dx2雙通道PC1066 RDRAM的芯片組。
更進一步將Rambus內存模組的性能發揮得淋漓盡致,南北橋將徹底達成高性能、低功耗與高度兼容的整體優勢。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)