串行ATA工作組的成員公司已經超過100家，其中包括如APT、戴爾、英特爾、邁拓和希捷科技等業界領先廠家。

串行ATA的增強規范串行ATA II的制訂工作也已完成第二階段。

第一階段是服務器和網絡存儲特性的定義。其中包括解決服務器工作負載問題的新性能特性和改進串行ATA與存儲附件集成問題的基礎設施附加特性。

附加特性包括附件管理服務和背板互連支持。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TISON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    2 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    25 V    

Id-連續漏極電流:    50 A, 50 A    

Rds On-漏源導通電阻:    2.4 mOhms, 3.2 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 16 V, + 16 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    1.6 V    

Qg-柵極電荷:    5.6 nC, 15 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    2.5 W, 6.25 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Reel    

高度:   1.15 mm  

長度:   6 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   2 N-Channel  

寬度:   5 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   46 S, 70 S  

下降時間:   1.4 ns, 1.7 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   2.8 ns, 4.7 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   4.3 ns, 5.7 ns,  

典型接通延遲時間:   3.6 ns, 4.3 ns  

零件號別名:  BSG0813NDI SP001241676

各大便攜式設備制造商都相信國家半導體有能力提供各種創新的電源管理芯片，確保手機及其他采用電池供電的便攜式設備可以更長時間使用，滿足日益增長的用戶需要。

對于效率具有關鍵作用的應用方案來說，磁性轉換器是一個理想的解決方案。

低電壓產品包括 LM2608、LM2614 和 LM2618 等多款磁性降壓直流/直流轉換器以及 LM2788 和 LM2798 開關電容降壓轉換器，全部屬于高密度、高集成度的降壓轉換器解決方案，不但輸出準確、效率較高，而且還有多種不同的先進微型封裝可供廠商選擇。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）