MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換應用的設計。

作為意法半導體MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了復雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導體的應用設計。

MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3V-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 16.2 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 110 S, 55 S

下降時間: 3.8 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 5.4 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 3.9 ns

零件號別名: SP000854380 BSC92NSIXT BSC0902NSIATMA1

單位重量: 118.180 mg

在熱設計較難的大功率應用中，也可以在實際產品設計之前通過仿真進行確認，有助于減少設計工時。

在ROHM的創始產品—電阻器領域，公司將繼續擴展從低功率到高功率且有助于節能和小型化的電阻器產品陣容，并注重提供各種工具等技術支持，為汽車和工業設備的發展貢獻力量。

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PSR系列作為大功率分流電阻器被廣受好評，此次又大大提高了額定功率保證值。例如，以往額定功率保證值為5W的“PSR500系列”，由于保證值已提高到最高15W，因此將可以支持更廣泛的應用。

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