TrenchFET®Gen IV技術確立行業性能基準顯著降低開關和傳導損耗
發布時間:2023/12/30 20:51:22 訪問次數:6
功率模塊含有功率MOSFET和先進的驅動IC。
為提高能效,器件內部MOSFET采用先進的TrenchFET®Gen IV技術,這一技術確立行業性能基準,顯著降低開關和傳導損耗。
SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93%以上。輕載時可啟用二極管仿真模式,提高全負載范圍的效率。
器件適用于同步降壓轉換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。
制造商:Xilinx 產品種類:FPGA - 現場可編程門陣列 RoHS: 詳細信息 產品:Virtex-4 系列:XC4VLX15 邏輯元件數量:13824 LE 自適應邏輯模塊 - ALM:6144 ALM 嵌入式內存:864 kbit 輸入/輸出端數量:240 I/O 工作電源電壓:1.2 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-363 商標:Xilinx 分布式RAM:96 kbit 內嵌式塊RAM - EBR:864 kbit 最大工作頻率:500 MHz 濕度敏感性:Yes 邏輯數組塊數量——LAB:1536 LAB 產品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數量:90 子類別:Programmable Logic ICs 商標名:Virtex 單位重量:18.490 g
器件的局限性迫使開發人員做出綜合權衡,要么限制功能,要么縮短電池壽命或增大方案尺寸。Maxim基礎模擬產品線中的三款新型高效電源IC具有業界領先的最低靜態電流和最小方案尺寸優勢,有助于緩解這種兩難的選擇。
器件能夠產生高達2A的開關電流,是最接近的競爭方案的兩倍。而靜態電流消耗僅為350nA,是競爭方案的一半。
升壓轉換器非常適合負載(例如顯示器或傳感器)要求較高供電電壓的電池供電系統。
功率模塊含有功率MOSFET和先進的驅動IC。
為提高能效,器件內部MOSFET采用先進的TrenchFET®Gen IV技術,這一技術確立行業性能基準,顯著降低開關和傳導損耗。
SiC8xx智能功率模塊各種應用條件下峰值能效可達93%以上。輕載時可啟用二極管仿真模式,提高全負載范圍的效率。
器件適用于同步降壓轉換器、CUP和GPU的多相VRD、存儲器以及DC/DC VR模塊。
制造商:Xilinx 產品種類:FPGA - 現場可編程門陣列 RoHS: 詳細信息 產品:Virtex-4 系列:XC4VLX15 邏輯元件數量:13824 LE 自適應邏輯模塊 - ALM:6144 ALM 嵌入式內存:864 kbit 輸入/輸出端數量:240 I/O 工作電源電壓:1.2 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-363 商標:Xilinx 分布式RAM:96 kbit 內嵌式塊RAM - EBR:864 kbit 最大工作頻率:500 MHz 濕度敏感性:Yes 邏輯數組塊數量——LAB:1536 LAB 產品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數量:90 子類別:Programmable Logic ICs 商標名:Virtex 單位重量:18.490 g
器件的局限性迫使開發人員做出綜合權衡,要么限制功能,要么縮短電池壽命或增大方案尺寸。Maxim基礎模擬產品線中的三款新型高效電源IC具有業界領先的最低靜態電流和最小方案尺寸優勢,有助于緩解這種兩難的選擇。
器件能夠產生高達2A的開關電流,是最接近的競爭方案的兩倍。而靜態電流消耗僅為350nA,是競爭方案的一半。
升壓轉換器非常適合負載(例如顯示器或傳感器)要求較高供電電壓的電池供電系統。