電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅動器電壓為4800V
發布時間:2021/4/23 21:35:52 訪問次數:822
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅動器,驅動電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關.配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發生.
市場對逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴格，其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機械兼容性，以及長使用壽命。
意法半導體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統用例制作的參考設計。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統故障期間，保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
STGAP2SICS是電流隔離的4A SiC MOSFET單個柵極驅動器,驅動電流4A和軌到軌輸出.
器件有兩種不同的配置.獨立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨的最佳開和關.配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓撲的快速換向時阻止柵極尖峰的發生.
市場對逆變器和所需直流鏈路電容器的要求日益嚴格，其中包括以緊湊尺寸提供高能量密度、控制快速開關操作、大電流能力、高工作溫度、與IGBT模塊的機械兼容性，以及長使用壽命。
意法半導體還提供了EVALSTPM-3PHISO，一個專門為三相隔離電表系統用例制作的參考設計。
具有1200Vpeak的最大工作隔離電壓(VIOWM)和高沖擊耐受電壓(VIOTM)，STISO621電流隔離功能不隨時間變化，在任何系統故障期間，保持電流隔離功能的完整性。
有兩款封裝可選，STISO621采用4mm爬電距離和電氣間隙的SO8窄體封裝，VIOTM 電壓為4800V。STISO621W采用爬電距離和間隙為8mm的SO8寬體封裝，VIOTM為6000V。
在-40°C到125°C的溫度范圍皆可保證其高性能。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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