雙向過壓保護元件的產品CLT32系列新型功率電感器
發布時間:2021/4/29 18:08:34 訪問次數:851
CLT32系列新型功率電感器使用了創新設計原理。這涉及到通過特殊的鐵磁性塑料復合材料模壓成型的實心銅線圈。
此外,新元件還具有其他特點和優勢,比如響應時間短,漏電流低(僅2 nA@3.3 V)。
除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復合技術,CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多。
超小型的高功率TVS(瞬態抑制)二極管,進一步擴展了I/O接口的雙向過壓保護元件的產品組合。
制造商:Nexperia 產品種類:穩壓二極管 Vz - 齊納電壓:12 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 Pd-功率耗散:625 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數:8.4 mV/K 齊納電流:100 nA Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 資格:AEC-Q101 高度:1.15 mm 長度:2.675 mm 寬度:1.6 mm 商標:Nexperia If - 正向電流:100 mA Ir - 反向電流 :0.1 uA 產品類型:Zener Diodes 工廠包裝數量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.1 V 零件號別名:934071049118 單位重量:34 mg
主要應用
各種物聯網 (IoT)、智能家居或工業4.0設備
智能手機、筆記本電腦、平板電腦、智能手表和助聽器等
主要特點與優勢
I/O接口的雙向保護
ESD 保護性能滿足 IEC 61000-4-2 標準要求
接觸放電電壓最高可達 24 kV
浪涌電流負載能力高達 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標準要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
CLT32系列新型功率電感器使用了創新設計原理。這涉及到通過特殊的鐵磁性塑料復合材料模壓成型的實心銅線圈。
此外,新元件還具有其他特點和優勢,比如響應時間短,漏電流低(僅2 nA@3.3 V)。
除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復合技術,CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多。
超小型的高功率TVS(瞬態抑制)二極管,進一步擴展了I/O接口的雙向過壓保護元件的產品組合。
制造商:Nexperia 產品種類:穩壓二極管 Vz - 齊納電壓:12 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123-2 Pd-功率耗散:625 mW 電壓容差:2 % 電壓溫度系數:8.4 mV/K 齊納電流:100 nA Zz - 齊納阻抗:10 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 資格:AEC-Q101 高度:1.15 mm 長度:2.675 mm 寬度:1.6 mm 商標:Nexperia If - 正向電流:100 mA Ir - 反向電流 :0.1 uA 產品類型:Zener Diodes 工廠包裝數量10000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.1 V 零件號別名:934071049118 單位重量:34 mg
主要應用
各種物聯網 (IoT)、智能家居或工業4.0設備
智能手機、筆記本電腦、平板電腦、智能手表和助聽器等
主要特點與優勢
I/O接口的雙向保護
ESD 保護性能滿足 IEC 61000-4-2 標準要求
接觸放電電壓最高可達 24 kV
浪涌電流負載能力高達 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標準要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)