Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件為設計工程師提供了豐富的選項，適合要求在苛刻尺寸內實現高效率發射解決方案的系統，例如在有源相陣控雷達應用中所需要的那些。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術，這些新型器件能夠在小型且行業標準封裝內提供高功率附加效率（PAE），從而助力設計人員能夠在更小型的系統中實現性能的最大化，且功耗更少。

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解決方案，將賦能實現關鍵射頻系統所要求的更小尺寸、更輕重量、更高功率（SWaP）、以及性能達到新的高度。

制造商:    Infineon    

產品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細信息  

技術:    Si    

安裝風格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續漏極電流:    100 A    

Rds On-漏源導通電阻:    4.5 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2.2 V    

Qg-柵極電荷:    61 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    139 W    

通道模式:    Enhancement    

商標名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 5  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標:   Infineon Technologies  

正向跨導 - 最小值:   55 S  

下降時間:   13 ns  

產品類型:   MOSFET  

上升時間:   12 ns  

工廠包裝數量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關閉延遲時間:   43 ns  

典型接通延遲時間:   20 ns  

零件號別名:  BSC030N08NS5 SP001077098  

單位重量:  506.600 mg

思特威3K級系列產品采用2880x1620分辨率，擁有遠優于2K視頻影像以及比肩4K分辨率的出色畫質，不僅填補了逐步興起的3K影像應用對此類圖像傳感器的迫切需求，并且有效降低了后端處理負荷及傳輸和存儲的帶寬壓力，使系統得到了充分的優化，為3K應用客戶量身打造優質影像解決方案。

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