全新的同步直流/直流降壓控制器系列，此類器件支持工程師縮減電源解決方案的尺寸并降低其電磁干擾(EMI)。

通過減小無源元件的濾波負載，集成式AEF可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現尺寸更小的低EMI電源設計。

LM25149-Q1和LM25149控制器通過實現交錯式雙相操作以及集成自舉二極管、環路補償和輸出電壓反饋元件，進一步提高了功率密度，進而降低設計復雜度和成本。

分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態

有源

FET 類型

N 通道

技術

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)

18A（Ta），40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）

4 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 36μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應商器件封裝

PG-TSDSON-8

封裝/外殼

8-PowerTDFN

漏源電壓（Vdss）

40V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

64nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

5100pF @ 20V

基本產品編號

BSZ040

DSI-2技術的兩款圖像傳感器產品——SC233A與SC223A，以優異低光照成像性能為安防監控、車載電子以及智能家居等應用賦能。

傳統的FSI和BSI技術之外開拓全新的技術道路，發布了基于其創新設計架構的第一代DSI像素技術，該技術相較主流FSI技術擁有更高的靈敏度與信噪比。

新一代DSI-2技術，相較前代技術產品在感光度及色彩表現力等性能上再度提升，同時思特威再次在DSI-2技術開發中融合了創新的像素工藝設計。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）