由于Primo Twin-Star®反應器在很多方面采取了和單臺機Primo nanova®相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star®顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果。

這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。

Primo Twin-Star®刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，首臺Primo Twin-Star®設備已交付客戶投入生產，良率穩定。

進行用于不同刻蝕應用多項評估,Primo Twin-Star®設備優化電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備產品線。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:運算放大器 - 運放 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數量:2 Channel 電源電壓-最大:32 V, +/- 16 V GBP-增益帶寬產品:1 MHz 每個通道的輸出電流:40 mA SR - 轉換速率 :600 mV/us Vos - 輸入偏置電壓 :3 mV 電源電壓-最小:3 V, +/- 1.5 V 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C Ib - 輸入偏流:100 nA 工作電源電流:1.2 mA 關閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:65 dB 系列: 資格:AEC-Q100 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 放大器類型:Low Power Amplifier 高度:1.5 mm 長度:5 mm 產品:Operational Amplifiers 電源類型:Single, Dual 技術:Bipolar 寬度:4 mm 商標:ON Semiconductor 雙重電源電壓:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V 最大雙重電源電壓:+/- 16 V 最小雙重電源電壓:+/- 1.5 V 工作電源電壓:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V 產品類型:Op Amps - Operational Amplifiers PSRR - 電源抑制比:65 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:540 mg

GreenPAK產品在很多應用中可實現低于微安（uA）的工作電流消耗、納秒響應時間，采用基于電路框圖的設計和仿真，通過標準PC USB端口進行連接，即可用軟件工具實現原型設計和配置。

開關電源經常需要硬開關驅動大功率負載，在硬開關以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會對驅動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

地彈電壓會造成驅動器輸入端等效出現負電壓，因為內部等效體二極管，大多數柵極驅動器能夠承受一定的負壓脈沖。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）