eGaN FET和集成電路提高48V/12V轉換器的功率密度
發布時間:2021/6/4 21:11:02 訪問次數:183
多路模式的最大無線電帶寬間隔是1.2GHz.
器件具有FDD和TDD單和多波段無線電,Tx/Rx通路帶寬高達1.6 GHz/2 GHz (4T4R). 4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).
支持發送器IQ輸入數據速率高達1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數據速率高達2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
EPC9149采用4個用于一次側同步整流、額定電壓為100 V的EPC2218 ，以及采用8個用于二次側同步整流、40 V的EPC2024器件。
輸入電壓在48V至12V時的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時的滿載效率為97％。在最大負載和400 LFM氣流下，最高穩態工作溫度為88°C，最高結溫為95°C。
eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉換器的功率密度，并滿足了數據中心對于小尺寸、更高功率的應用需求。Microchip數字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
多路模式的最大無線電帶寬間隔是1.2GHz.
器件具有FDD和TDD單和多波段無線電,Tx/Rx通路帶寬高達1.6 GHz/2 GHz (4T4R). 4D4A (4 × 3 GSPS 到12 GSPS DAC和4 × 1.5 GSPS到4 GSPS ADC).
支持發送器IQ輸入數據速率高達1.5Gbps,支持接收器IQ輸出數據速率高達2Gbps.
RF DAC/RF ADC輸出/輸入−3 dB帶寬 5.2 GHz 和7.5 GHz.器件的典型功耗為6W到7W,采用15 mm × 15 mm BGA封裝.
EPC9149采用4個用于一次側同步整流、額定電壓為100 V的EPC2218 ，以及采用8個用于二次側同步整流、40 V的EPC2024器件。
輸入電壓在48V至12V時的峰值效率為98％，在提供1 kW功率、12 V時的滿載效率為97％。在最大負載和400 LFM氣流下，最高穩態工作溫度為88°C，最高結溫為95°C。
eGaN FET和集成電路提高了48 V/12 V轉換器的功率密度，并滿足了數據中心對于小尺寸、更高功率的應用需求。Microchip數字控制器使得EPC9149演示板可靈活地進行編程和配置。
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公網安備44030402000607
