MOSFET尺寸8x8x1.7mm具有領先的線性模式/安全工作區域(SOA)特性
發布時間:2023/12/17 20:33:06 訪問次數:56
高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM=VIP–VIM)支持單向和雙向應用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到+125C(E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到+150C(H溫度).
主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規范的汽車電子,馬達控制,模擬電平轉移,工業計算和電池監視器/測試器.
制造商:Winbond產品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:16 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流（最大值）:25 mA接口類型:SPI最大時鐘頻率:133 MHz組織:2Mx8數據總線寬度:8bit定時類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:Reel商標:Winbond電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產品類型:NOR Flash4000子類別:Memory & Data Storage
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8x8x1.7mm，具有領先的線性模式/安全工作區域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開關工作。
符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規標準要求兩倍的可靠性，適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉換器和電機控制應用。
高邊電流檢測放大器,具有增益20, 50和100V/V.共模輸入范圍(VIP)是+3V到+65V,差分模式輸入范圍(VDM=VIP–VIM)支持單向和雙向應用.器件的電源在2.0V和5.5V間.
SOT-23封裝的器件工作溫度-40C到+125C(E-溫度),而3×3 VDFN封裝的器件工作溫度-40C到+150C(H溫度).
主要用在滿足AEC-Q100 Grade 0和Grade 1規范的汽車電子,馬達控制,模擬電平轉移,工業計算和電池監視器/測試器.
制造商:Winbond產品種類:NOR閃存RoHS: 安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:16 Mbit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V有源讀取電流（最大值）:25 mA接口類型:SPI最大時鐘頻率:133 MHz組織:2Mx8數據總線寬度:8bit定時類型:Synchronous最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:Reel商標:Winbond電源電流—最大值:25 mA濕度敏感性:Yes產品類型:NOR Flash4000子類別:Memory & Data Storage
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合，后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8x8x1.7mm，具有領先的線性模式/安全工作區域(SOA)特性，可在大電流條件下安全可靠地開關工作。
符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規標準要求兩倍的可靠性，適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉換器和電機控制應用。
相關技術資料- 11-29一文解讀多光譜CIS解決方案
- 11-29全新5G Redcap芯片平臺系列應用設計參數
- 11-2910納米第6代（1c）DRAM系列技術應用介紹
- 11-2916通道高精度定時器（HRTimer）研究
- 11-29第四代低功耗藍牙芯片KW 47應用
- 11-29藍牙信道探測（Channel Sounding）
- 11-28最新集成傳感激光測距模塊規格參數技術應用
- 11-28Supermicro NVIDIA HGX B200系統參數應用設
- 11-28新一代 ToF 激光測距傳感器詳細探討
- 11-28全新 Riedon™ 功率電阻產品系列
- 11-28分流電阻的檢測原理及市場格局
- 11-28前沿技術AI輔助診斷應用新進展
公網安備44030402000607
