新一代200V氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器，以及多電平、高壓AC/DC轉換器的理想功率器件。

與基準硅器件相比，這兩款氮化鎵器件的性能更高。 EPC2215的導通阻抗降低了33％，但尺寸卻縮小了15倍。

柵極電荷（QG）較基準硅MOSFET器件小十倍，并且與所有eGaN FET一樣，沒有反向恢復電荷（QRR）,從而使得D類音頻放大器可以實現更低的失真，以及實現更高效的同步整流器和電機驅動器。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:門驅動器 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:High Side, Low Side 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-39 激勵器數量:2 Driver 輸出端數量:1 Output 輸出電流:50 A, 80 A 電源電壓-最小:4.5 V 電源電壓-最大:5.5 V 配置:Single 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 特點:High and Low Side MOSFET, Internal Bootstrap Diode 技術:Si 商標:ON Semiconductor 傳播延遲—最大值:75 ns 關閉:Shutdown 工作電源電流:8 mA 產品類型:Gate Drivers 工廠包裝數量3000 子類別:PMIC - Power Management ICs

升級的診斷功能可以指示開路負載、過流關斷和過熱關閉，簡化安全需求型的功能設計。

IPS160HF和IPS161HF可以安全地驅動另一端接地的復雜阻性、容性和感性負載，如電磁閥、繼電器和燈具。除了安全傳感器等SIL級的應用外，還可以用于一般的工廠自動化和過程控制設備，如可編程邏輯控制器(PLC)、I/O外設和計算機數控(CNC)機床。

作為智能型功率開關，IPS160HF和IPS161HF集成了邏輯接口、驅動電路、各種保護功能，和一個N溝道功率MOSFET輸出級。

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