ON/OFF控制來調整輸出電壓超低功耗非易失PLD器件
發布時間:2021/6/19 13:30:54 訪問次數:1068
i.MX RT1170處理器有2MB片上RAM,包括可靈活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.器件集成了先進的功率管理模塊和DC/DC與LDO穩壓器,降低了外部電源的復雜性,簡化了加電次序.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用簡化的ON/OFF控制來調整輸出電壓.
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:10 mm 長度:10.2 mm 高度:12 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:310 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors 商標:Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數 DF:0.14 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:500 子類別:Capacitors 單位重量:680 mg
MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六個器件,查找表(LUT)從256到6864.
此外,基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入區塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(PLL),支持預工程源同步I/O,支持先進的配置包括雙引導功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計時器/計數器.這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費類和系統應用.
MachXO2系列產品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構有幾個特性如可編低擺動差分I/O和能夠關斷I/O 組(bank),片上PLL和動態振蕩器.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
i.MX RT1170處理器有2MB片上RAM,包括可靈活配置TCM(和M7 TCM共享的512KB RAM 以及和M4 TCM共享的256KB RAM) 768KB RAM或通用片上RAM.器件集成了先進的功率管理模塊和DC/DC與LDO穩壓器,降低了外部電源的復雜性,簡化了加電次序.
和通常的PWM控制器不同,LinkSwitch-XT2系列采用簡化的ON/OFF控制來調整輸出電壓.
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
制造商:Panasonic 產品種類:鋁質電解電容器-SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:S-V 產品:Aluminum Electrolytic Capacitors 電容:220 uF 電壓額定值 DC:35 VDC 容差:20 % 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 直徑:10 mm 長度:10.2 mm 高度:12 mm 壽命:2000 Hour 紋波電流:310 mA 資格:AEC-Q200 端接類型:SMD/SMT 類型:SMT Aluminum Electrolytic Capacitors 商標:Panasonic 漏泄電流:3 uA 損耗因數 DF:0.14 產品類型:Electrolytic Capacitors 工廠包裝數量:500 子類別:Capacitors 單位重量:680 mg
MachXO2系列是超低功耗非易失PLD器件,共有六個器件,查找表(LUT)從256到6864.
此外,基于LUT,低成本可編邏輯這些器件具有嵌入區塊RAM(EBR),分布式RAM,用戶閃存(UFM),鎖相環(PLL),支持預工程源同步I/O,支持先進的配置包括雙引導功能和通用功能的硬化版本包括SPI控制器,I2C 控制器和計時器/計數器.這些特性使得這些器件可用在低成本量大的消費類和系統應用.
MachXO2系列產品采用65nm非易失低功耗工藝,器件的架構有幾個特性如可編低擺動差分I/O和能夠關斷I/O 組(bank),片上PLL和動態振蕩器.
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)