電流承載的漏極與源極連接-40 °C至160 °C的寬溫度范圍
發布時間:2021/6/21 23:39:57 訪問次數:630
TOLT封裝針對優異的熱性能進行優化。此封裝在結構方面采用上下翻轉的導線，將裸露的金屬置于頂端，且每一面都有多條鷗翼型導線，可提供高電流承載的漏極與源極連接。
在導線上下翻轉的框架中，熱量會從裸露的金屬頂端穿過絕緣材料，直接傳到散熱片。與TOLL底部冷卻封裝相比，TOLT的 R thJA改善了20%，R thJC則改善了50%。
這些規格可降低系統物料成本，特別是散熱片。此外，由于現在可將組件安裝在MOSFET的底部，因此采用TOLT封裝的OptiMOS能夠減少PCB空間。
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商零件編號
GF1G-E3/67A
描述
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 標準-表面貼裝-二極管-400V-1A-DO-214BA（GF1）
二極管類型 標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值） 400V
電流 - 平均整流（Io） 1A
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf 1.1V @ 1A
速度 標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢復時間（trr） 2μs
不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流 5μA @ 400V
不同 Vr，F 時的電容 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 DO-214BA
供應商器件封裝 DO-214BA（GF1）
工作溫度 - 結 -65°C ~ 175°C
合ISO 11452-8要求的雜散場穩健性位置檢測（線性和上至360°旋轉）
180°旋轉應用的梯度雜散場補償
真3D磁場測量BX, BY和BZ
傳輸位置信息，最多兩個已計算的角度、角速度、磁場幅度和/或芯片溫度
SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全應用
寬供電電壓范圍：3.0 V到18 V
-40 °C至160 °C的寬溫度范圍，適用于汽車應用
帶集成去耦電容器的三引腳TO92UF晶體管封裝
TOLT封裝針對優異的熱性能進行優化。此封裝在結構方面采用上下翻轉的導線，將裸露的金屬置于頂端，且每一面都有多條鷗翼型導線，可提供高電流承載的漏極與源極連接。
在導線上下翻轉的框架中，熱量會從裸露的金屬頂端穿過絕緣材料，直接傳到散熱片。與TOLL底部冷卻封裝相比，TOLT的 R thJA改善了20%，R thJC則改善了50%。
這些規格可降低系統物料成本，特別是散熱片。此外，由于現在可將組件安裝在MOSFET的底部，因此采用TOLT封裝的OptiMOS能夠減少PCB空間。
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商零件編號
GF1G-E3/67A
描述
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求
濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）
詳細描述 標準-表面貼裝-二極管-400V-1A-DO-214BA（GF1）
二極管類型 標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值） 400V
電流 - 平均整流（Io） 1A
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf 1.1V @ 1A
速度 標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢復時間（trr） 2μs
不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流 5μA @ 400V
不同 Vr，F 時的電容 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 DO-214BA
供應商器件封裝 DO-214BA（GF1）
工作溫度 - 結 -65°C ~ 175°C
合ISO 11452-8要求的雜散場穩健性位置檢測（線性和上至360°旋轉）
180°旋轉應用的梯度雜散場補償
真3D磁場測量BX, BY和BZ
傳輸位置信息，最多兩個已計算的角度、角速度、磁場幅度和/或芯片溫度
SEooC符合ISO 26262的要求，可支持功能安全應用
寬供電電壓范圍：3.0 V到18 V
-40 °C至160 °C的寬溫度范圍，適用于汽車應用
帶集成去耦電容器的三引腳TO92UF晶體管封裝
相關技術資料- 11-28最新集成傳感激光測距模塊規格參數技術應用
- 11-28Supermicro NVIDIA HGX B200系統參數應用設
- 11-28新一代 ToF 激光測距傳感器詳細探討
- 11-28全新 Riedon™ 功率電阻產品系列
- 11-28分流電阻的檢測原理及市場格局
- 11-28前沿技術AI輔助診斷應用新進展
- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
公網安備44030402000607
