單片微波集成電路對耐溫要求較高的電磁干擾抑制且功耗更少
發布時間:2021/6/27 17:28:06 訪問次數:159
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件,進一步擴展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監測和新興的無人機系統雷達等在內的脈沖和連續波 X-波段相控陣應用。
通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術,這些新型器件能夠在小型且行業標準封裝內提供高功率附加效率(PAE),從而助力設計人員能夠在更小型的系統中實現性能的最大化,且功耗更少。
它們包括了不同的功率等級以優化系統性能,并提供多種平臺以優化系統架構。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 詳細信息
系列: ADS7953
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-38
分辨率: 12 bit
通道數量: 16 Channel
接口類型: SPI
采樣比: 1 MS/s
輸入類型: Single-Ended
結構: SAR
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
數字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 71.7 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tube
高度: 1.15 mm
長度: 9.7 mm
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
寬度: 4.4 mm
商標: Texas Instruments
參考類型: External
DNL - 微分非線性: - 2 /1.5 LSB
INL - 積分非線性: +/- 1.5 LSB
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB
工廠包裝數量: 50
子類別: Data Converter ICs
單位重量: 124 mg
主要應用
對耐溫要求較高的電磁干擾抑制,比如:汽車電子應用
主要特點和優勢
更高的工作溫度:最高達125 °C
較寬的電容范圍:0.033 μF 至 5.6 μF
經過UL和EN認證,滿足AEC-Q200標準要求
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件,進一步擴展射頻(RF)解決方案范圍,適用于包括海事、氣象監測和新興的無人機系統雷達等在內的脈沖和連續波 X-波段相控陣應用。
通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術,這些新型器件能夠在小型且行業標準封裝內提供高功率附加效率(PAE),從而助力設計人員能夠在更小型的系統中實現性能的最大化,且功耗更少。
它們包括了不同的功率等級以優化系統性能,并提供多種平臺以優化系統架構。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 詳細信息
系列: ADS7953
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-38
分辨率: 12 bit
通道數量: 16 Channel
接口類型: SPI
采樣比: 1 MS/s
輸入類型: Single-Ended
結構: SAR
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
數字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 71.7 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tube
高度: 1.15 mm
長度: 9.7 mm
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
寬度: 4.4 mm
商標: Texas Instruments
參考類型: External
DNL - 微分非線性: - 2 /1.5 LSB
INL - 積分非線性: +/- 1.5 LSB
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 71.3 dB
工廠包裝數量: 50
子類別: Data Converter ICs
單位重量: 124 mg
主要應用
對耐溫要求較高的電磁干擾抑制,比如:汽車電子應用
主要特點和優勢
更高的工作溫度:最高達125 °C
較寬的電容范圍:0.033 μF 至 5.6 μF
經過UL和EN認證,滿足AEC-Q200標準要求
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)