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​QPF4516B實現33dB發射增益和15dB的接收增益噪聲系數2dB

發布時間:2021/7/1 21:24:11 訪問次數:311

TPS541620是高度集成的非隔離雙路DC/DC轉換器,器件可配置成兩個6A軌,或組合成單個12A的電流負載.器件實現固定頻率先進電流模式控制(ACM)和帶補償轉換器爬坡幅度配置,以優化回路帶寬.

兩個模式選擇引腳(MODE1 和2)用來選擇開關頻率,配置,時鐘相延遲和內部補償. 

TPS541620穩壓器是容易使用,雙輸出,同步降壓DC/DC轉換器,工作電壓4.5V到15V.器件沒個輸出可提供高達6A DC負載電流,具有極好的效率和熱性能,非常小的解決方案尺寸.

器件高度可配置,其兩個輸出組合可提供高達12A電流. 

制造商:Silicon Laboratories產品種類:數字隔離器RoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-16通道數量:4 Channel極性:Unidirectional數據速率:150 Mb/s絕緣電壓:3750 Vrms隔離類型:Capacitive Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.375 V工作電源電流:17.5 mA傳播延遲時間:8 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Tube輸出電流:10 mA類型:High Speed商標:Silicon Labs正向通道:4 Channel最大下降時間:4 ns最大上升時間:4 ns濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.5 V to 5.5 VPd-功率耗散:275 mW產品類型:Digital Isolators脈沖寬度:5 ns脈沖寬度失真:0.2 ns反向通道:0 Channel48子類別:Interface ICs單位重量:50 mg

支持更多的每接入點用戶數、更大的每用戶流量需求、更高密度的部署、更多的蜂窩數據分流,以及Wi-Fi 6應用所需的更高功率和性能。

擴頻調頻能用來改善PWM工作時的EMI性能.PFM模式在輕負載時器件具有低電流消耗.

模塊的功率放大器針對5V電源電壓進行了優化,可在保持高線性輸出功率和高吞吐量的同時節省功耗。作為一款高性能FEM,QPF4516B可實現33dB的發射增益和15dB的接收增益,噪聲系數為2dB。

QPF4516B FEM帶有一個對數功率檢測器,可在整個功率譜范圍內進行功率控制.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

TPS541620是高度集成的非隔離雙路DC/DC轉換器,器件可配置成兩個6A軌,或組合成單個12A的電流負載.器件實現固定頻率先進電流模式控制(ACM)和帶補償轉換器爬坡幅度配置,以優化回路帶寬.

兩個模式選擇引腳(MODE1 和2)用來選擇開關頻率,配置,時鐘相延遲和內部補償. 

TPS541620穩壓器是容易使用,雙輸出,同步降壓DC/DC轉換器,工作電壓4.5V到15V.器件沒個輸出可提供高達6A DC負載電流,具有極好的效率和熱性能,非常小的解決方案尺寸.

器件高度可配置,其兩個輸出組合可提供高達12A電流. 

制造商:Silicon Laboratories產品種類:數字隔離器RoHS: 系列:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-16通道數量:4 Channel極性:Unidirectional數據速率:150 Mb/s絕緣電壓:3750 Vrms隔離類型:Capacitive Coupling電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:2.375 V工作電源電流:17.5 mA傳播延遲時間:8 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Tube輸出電流:10 mA類型:High Speed商標:Silicon Labs正向通道:4 Channel最大下降時間:4 ns最大上升時間:4 ns濕度敏感性:Yes工作電源電壓:2.5 V to 5.5 VPd-功率耗散:275 mW產品類型:Digital Isolators脈沖寬度:5 ns脈沖寬度失真:0.2 ns反向通道:0 Channel48子類別:Interface ICs單位重量:50 mg

支持更多的每接入點用戶數、更大的每用戶流量需求、更高密度的部署、更多的蜂窩數據分流,以及Wi-Fi 6應用所需的更高功率和性能。

擴頻調頻能用來改善PWM工作時的EMI性能.PFM模式在輕負載時器件具有低電流消耗.

模塊的功率放大器針對5V電源電壓進行了優化,可在保持高線性輸出功率和高吞吐量的同時節省功耗。作為一款高性能FEM,QPF4516B可實現33dB的發射增益和15dB的接收增益,噪聲系數為2dB。

QPF4516B FEM帶有一個對數功率檢測器,可在整個功率譜范圍內進行功率控制.


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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