ISL73033SLHM低側驅動器和100V GaN FET載波調制256QAM
發布時間:2021/7/17 7:32:43 訪問次數:161
在MWC21現場的演示中,儀器模擬了一個獨立的5G蜂窩網絡,該網絡在NR雙連接(NR-DC)中具有8個下行鏈路載波聚合,在FR1中使用1xCC,在FR2中使用7xCC,載波調制方式為256QAM。
測試中使用兩個拉遠射頻頭,將信號上變頻至5G FR2頻率。
這一端到端測試在定義明確的網絡環境中,評估從內置的模擬服務器和基站到被測設備的數據吞吐速度。R&S CMX500配有現成的服務器,用于測試網頁、FTP、DNS或IMS服務,設置十分便捷。
在該場景下,R&S CMX500支持FTP的上傳和下載流量測試。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 詳細信息
系列: ADS7955-Q1
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-30
分辨率: 10 bit
通道數量: 8 Channel
接口類型: SPI
采樣比: 1 MS/s
輸入類型: Single-Ended
結構: SAR
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
數字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 60 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
商標: Texas Instruments
參考類型: External
INL - 積分非線性: 0.048 % FSR
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
Pd-功率耗散: 14.5 mW
產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 60 dB
工廠包裝數量: 2000
子類別: Data Converter ICs
單位重量: 97.500 mg
ISL73033SLHM 低側驅動器和 100V GaN FET 的主要特性:
將世界一流的 GaN FET 驅動器和 GaN FET 結合在一個封裝中,以簡化柵極設計并提高效率.
與 SMD 0.5 抗輻射 MOSFET 相比,面積減小了 20%
V DS = 100V&I DS = 30A與7.5mΩ(典型值)R DSON
超低總柵極電荷:14nC(典型值)
集成驅動器具有 4.5V 穩壓柵極驅動電壓和 3A/2.8A 灌電流/拉電流能力
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
在MWC21現場的演示中,儀器模擬了一個獨立的5G蜂窩網絡,該網絡在NR雙連接(NR-DC)中具有8個下行鏈路載波聚合,在FR1中使用1xCC,在FR2中使用7xCC,載波調制方式為256QAM。
測試中使用兩個拉遠射頻頭,將信號上變頻至5G FR2頻率。
這一端到端測試在定義明確的網絡環境中,評估從內置的模擬服務器和基站到被測設備的數據吞吐速度。R&S CMX500配有現成的服務器,用于測試網頁、FTP、DNS或IMS服務,設置十分便捷。
在該場景下,R&S CMX500支持FTP的上傳和下載流量測試。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 模數轉換器 - ADC
RoHS: 詳細信息
系列: ADS7955-Q1
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-30
分辨率: 10 bit
通道數量: 8 Channel
接口類型: SPI
采樣比: 1 MS/s
輸入類型: Single-Ended
結構: SAR
模擬電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
數字電源電壓: 1.7 V to 5.25 V
SNR – 信噪比: 60 dB
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
資格: AEC-Q100
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 11.5 mW
商標: Texas Instruments
參考類型: External
INL - 積分非線性: 0.048 % FSR
濕度敏感性: Yes
工作電源電壓: 2.7 V to 5.25 V
Pd-功率耗散: 14.5 mW
產品類型: ADCs - Analog to Digital Converters
SINAD - 信噪和失真率: 60 dB
工廠包裝數量: 2000
子類別: Data Converter ICs
單位重量: 97.500 mg
ISL73033SLHM 低側驅動器和 100V GaN FET 的主要特性:
將世界一流的 GaN FET 驅動器和 GaN FET 結合在一個封裝中,以簡化柵極設計并提高效率.
與 SMD 0.5 抗輻射 MOSFET 相比,面積減小了 20%
V DS = 100V&I DS = 30A與7.5mΩ(典型值)R DSON
超低總柵極電荷:14nC(典型值)
集成驅動器具有 4.5V 穩壓柵極驅動電壓和 3A/2.8A 灌電流/拉電流能力
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)