X7R的溫度穩定性及金絲鍵合裝配成為高性能電路
發布時間:2021/7/18 11:12:12 訪問次數:288
V系列單層電容產品家族新成員——新型100nF容值電容器。該100nF、高頻、金絲鍵合裝配單層電容完美匹配GaN及GaA放大器應用,其具備的小型尺寸和微波性能對此類應用至關重要。
100nF單層電容將拓展我們的V系列產品家族,為我們的客戶帶來旁路性能和電路集成的提升,該產品憑借緊湊的尺寸,X7R的溫度穩定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。
單層電容器支持微波和高達100GHz的毫米波應用,具體應用包括通用隔直、低噪聲放大器、功率放大器和大功率放大器、振蕩器和濾波器等。
鋁電解電容器 - 徑向引線型
714
MOSFET
8,621
肖特基二極管與整流器
3,228
薄膜電容器
931
厚膜電阻器 - SMD
13,734
金屬膜電阻器 - 透孔
7,811
開關穩壓器
1,760
模擬開關 IC
8,598
標準時鐘振蕩器
36
開關穩壓器
885
新系列用于直流鏈路應用的愛普科斯 (EPCOS)電力電容器。新系列元件的額定電壓范圍為700 V DC至2000 V DC,電容范圍為20 μF至270 μF。
在65°C時,電流承受能力最高為60 A(具體視型號而定),可耐受高達7.5 kA的峰值電流和最高85°C的熱點溫度。
新系列電容器配備阻燃等級為UL 94 V0的柱形塑料外殼,支持M8螺栓和M5螺紋孔兩種連接方式,典型應用包括光伏系統中的快速切換轉換器和逆變器,鐵路技術中的牽引,以及感應加熱系統。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
V系列單層電容產品家族新成員——新型100nF容值電容器。該100nF、高頻、金絲鍵合裝配單層電容完美匹配GaN及GaA放大器應用,其具備的小型尺寸和微波性能對此類應用至關重要。
100nF單層電容將拓展我們的V系列產品家族,為我們的客戶帶來旁路性能和電路集成的提升,該產品憑借緊湊的尺寸,X7R的溫度穩定性以及金絲鍵合裝配成為高性能電路不可或缺的一部分。
單層電容器支持微波和高達100GHz的毫米波應用,具體應用包括通用隔直、低噪聲放大器、功率放大器和大功率放大器、振蕩器和濾波器等。
鋁電解電容器 - 徑向引線型
714
MOSFET
8,621
肖特基二極管與整流器
3,228
薄膜電容器
931
厚膜電阻器 - SMD
13,734
金屬膜電阻器 - 透孔
7,811
開關穩壓器
1,760
模擬開關 IC
8,598
標準時鐘振蕩器
36
開關穩壓器
885
新系列用于直流鏈路應用的愛普科斯 (EPCOS)電力電容器。新系列元件的額定電壓范圍為700 V DC至2000 V DC,電容范圍為20 μF至270 μF。
在65°C時,電流承受能力最高為60 A(具體視型號而定),可耐受高達7.5 kA的峰值電流和最高85°C的熱點溫度。
新系列電容器配備阻燃等級為UL 94 V0的柱形塑料外殼,支持M8螺栓和M5螺紋孔兩種連接方式,典型應用包括光伏系統中的快速切換轉換器和逆變器,鐵路技術中的牽引,以及感應加熱系統。
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