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內部基準電壓16位24路SAR ADC高速模擬比較器

發布時間:2021/7/23 20:09:46 訪問次數:356

EPC21603采用LVDS邏輯電路來控制,能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下,調制并實現高達10 A的激光驅動電流。

EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術的單芯片驅動器和氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),采用芯片級BGA封裝,其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。

LVDS邏輯控制允許通過FPGA來控制eToF激光驅動集成電路,用于必需具備抗噪聲干擾能力的應用,例如增強現實。

制造商:Vishay 產品種類:整流器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC-2 Vr - 反向電壓 :1 kV If - 正向電流:1 A 類型:Standard Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.1 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復時間:1.8 us 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Rectifiers 商標:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 產品類型:Rectifiers 工廠包裝數量14000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:137.097 mg

MCU提供128KB SRAM用于數據處理和連接堆棧,超低動態和靜態功耗和用于低功耗應用的智能外設.

先進的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數據轉換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.

處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達72MHz,高速模式高達96MHz.

器件模擬模塊包括有內部基準電壓的16位24路SAR ADC,兩個高速模擬比較器,每個包含6位DAC和可編程基準輸入,一個12位DAC和1.2V與2.1V基準電壓(Vref).


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

EPC21603采用LVDS邏輯電路來控制,能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下,調制并實現高達10 A的激光驅動電流。

EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術的單芯片驅動器和氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET),采用芯片級BGA封裝,其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。

LVDS邏輯控制允許通過FPGA來控制eToF激光驅動集成電路,用于必需具備抗噪聲干擾能力的應用,例如增強現實。

制造商:Vishay 產品種類:整流器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC-2 Vr - 反向電壓 :1 kV If - 正向電流:1 A 類型:Standard Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.1 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復時間:1.8 us 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 產品:Rectifiers 商標:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:- 產品類型:Rectifiers 工廠包裝數量14000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:137.097 mg

MCU提供128KB SRAM用于數據處理和連接堆棧,超低動態和靜態功耗和用于低功耗應用的智能外設.

先進的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數據轉換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.

處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達72MHz,高速模式高達96MHz.

器件模擬模塊包括有內部基準電壓的16位24路SAR ADC,兩個高速模擬比較器,每個包含6位DAC和可編程基準輸入,一個12位DAC和1.2V與2.1V基準電壓(Vref).


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

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