單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅動器
發布時間:2021/7/25 7:31:15 訪問次數:587
UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅動器,源電流1.5A,沉電流2A,增強隔離指標為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅動IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅動高邊和低邊功率FET.
引腳對引腳替代光隔離柵極驅動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.
工作結溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 產品種類:線性穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出類型:Fixed 最大輸入電壓:35 V 最小輸入電壓:7 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 負載調節:100 mV 線路調整率:100 mV 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.4 mm 長度:6.6 mm 寬度:6.2 mm 商標:STMicroelectronics PSRR/紋波抑制—典型值:62 dB 產品類型:Linear Voltage Regulators 工廠包裝數量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.800 g
兩個衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
高度線性度整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
UCC23511-Q1是光兼容單路隔離用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的柵極驅動器,源電流1.5A,沉電流2A,增強隔離指標為5.7-kVRMS.33V高工作電壓允許采用雙極電源來有效地驅動IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驅動高邊和低邊功率FET.
引腳對引腳替代光隔離柵極驅動器,12V VCC UVLO, 軌到軌輸出,最大傳輸時延為105ns,部件間延時失配最大為25ns,脈寬失真最大為35ns,共模瞬態免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔離阻擋層壽命大于50年.
工作結溫為–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔離1分鐘per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 產品種類:線性穩壓器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252 輸出端數量:1 Output 極性:Positive 輸出電壓:5 V 輸出電流:500 mA 輸出類型:Fixed 最大輸入電壓:35 V 最小輸入電壓:7 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 負載調節:100 mV 線路調整率:100 mV 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.4 mm 長度:6.6 mm 寬度:6.2 mm 商標:STMicroelectronics PSRR/紋波抑制—典型值:62 dB 產品類型:Linear Voltage Regulators 工廠包裝數量2500 子類別:PMIC - Power Management ICs 單位重量:1.800 g
兩個衰減器采用共同的確模擬控制,可以級聯起來以得到44.7dB的總衰減,典型的組合線性控制斜率為16dB/V(5V工作).
片上4線SPI控制的10位DAC能用來控制兩個衰減器.MAX19794是單片器件,采用該公司的專有的SiGeBiCMOS工藝,工作單5V電壓或+3.3V電壓.
高度線性度整個衰減范圍內IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)