3D TLC每單元3比特NAND閃存以提供高性價比的工業級存儲
發布時間:2021/7/29 7:31:55 訪問次數:549
PX 系列固態硬盤支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價比的工業級存儲。
支持 5000次擦寫周期的 SATA M.2 2242 ArmourDrive™ PX 系列固態硬盤,以及先進的具有卓越數據保留和支持 6萬次、12萬次 和行業領先的 30萬次擦寫 周期的高耐久性 EX 系列固態硬盤。
SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態硬盤可在工業級溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內工作,經過嚴格的沖擊和振動測試,適用于嚴苛的工作環境。
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 9.5 A
Pd-功率耗散: 42 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
高度: 9.25 mm
長度: 10 mm
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 500
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: SP000683054 IKP4N6TXK IKP04N60TXKSA1
單位重量: 6 g
EX系列固態硬盤采用綠芯的 EnduroSLC® 技術,支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長期支持計劃 (LTA) 產品 (http://bit.ly/SSD-LTA-program)。
NanEyeM的全數字輸出節省了外部模數轉換(ADC)的成本。
該模組可抗手術環境中醫療設備的磁干擾(EMI/EMC),無需同軸電纜或屏蔽電纜。預連接電纜避免了額外的購置成本。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
系列固態硬盤支持64GB、128GB、256GB 和 512GB 容量,采用3D TLC (每單元3比特) NAND 閃存以提供高性價比的工業級存儲。
支持 5000次擦寫周期的 SATA M.2 2242 ArmourDrive™ 系列固態硬盤,以及先進的具有卓越數據保留和支持 6萬次、12萬次 和行業領先的 30萬次擦寫 周期的高耐久性 EX 系列固態硬盤。
SATA M.2 2242 ArmourDrive 固態硬盤可在工業級溫度(-40 至 +85 攝氏度)范圍內工作,經過嚴格的沖擊和振動測試,適用于嚴苛的工作環境。
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.5 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 9.5 A
Pd-功率耗散: 42 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封裝: Tube
高度: 9.25 mm
長度: 10 mm
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 500
子類別: IGBTs
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: SP000683054 IKP4N6TXK IKP04N60TXKSA1
單位重量: 6 g
EX系列固態硬盤采用綠芯的 EnduroSLC® 技術,支持4GB、8GB、20GB、40GB、80GB、160GB 和 320GB 容量,是綠芯基于SLC (每單元1比特) NAND的長期支持計劃 (LTA) 產品 (http://bit.ly/SSD-LTA-program)。
NanEyeM的全數字輸出節省了外部模數轉換(ADC)的成本。
該模組可抗手術環境中醫療設備的磁干擾(EMI/EMC),無需同軸電纜或屏蔽電纜。預連接電纜避免了額外的購置成本。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)