Qspeed升壓二極管針對連續導通模式PFC操作進行了優化
發布時間:2021/7/29 21:55:55 訪問次數:189
ECAT-4XMO的高級功能包括高精度運動插補、連續軌跡規劃、軸同步、以Point Table定位進行電路限制和2D補償。
ECAT-TRG4的卓越性能則包括高速位置比較觸發器(4通道,10 MHz線性/表格)、脈沖輸出(12 MHz)、編碼輸入(20 MHz),并支持編碼器信號中繼器操作。
ECAT-TRG4還具備靈活的擴展接口,可輕松連接攝像頭和氣槍。
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Texas Instruments
產品種類: 閉鎖
RoHS: 詳細信息
電路數量: 2 Circuit
邏輯類型: True
邏輯系列: 74AHC
極性: Non-Inverting
靜態電流: 4 uA
輸出線路數量: 3 Line
高電平輸出電流: - 8 mA
低電平輸出電流: 32 mA
傳播延遲時間: 9.5 ns
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 4.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: TSSOP-48
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
功能: 16 bit
高度: 1.15 mm
長度: 12.5 mm
輸出類型: 3-State
系列: SN74AHCT16373
類型: D-Type
寬度: 6.1 mm
商標: Texas Instruments
安裝風格: SMD/SMT
通道數量: 16 Channels
輸入線路數量: 16 Line
工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V
產品類型: Latches
復位類型: No Reset
工廠包裝數量: 2000
子類別: Logic ICs
單位重量: 223.200 mg
HiperPFS-4 IC將連續導通模式(CCM) PFC控制電路、升壓二極管和600V MOSFET集成在一個器件中。通過加入升壓二極管,減少了散熱片的安裝,從而使設計更簡單,溫升性能更佳。
HiperPFS-4 IC可以在20%以上負載時實現大于0.95的功率因數。
Qspeed升壓二極管針對連續導通模式PFC操作進行了優化,具有非常低的反向恢復損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會帶來成本的增加。
因此,當采用385VDC的恒壓母線供電時,集成的600V MOSFET能夠輕松滿足80%的降額要求。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
ECAT-4XMO的高級功能包括高精度運動插補、連續軌跡規劃、軸同步、以Point Table定位進行電路限制和2D補償。
ECAT-TRG4的卓越性能則包括高速位置比較觸發器(4通道,10 MHz線性/表格)、脈沖輸出(12 MHz)、編碼輸入(20 MHz),并支持編碼器信號中繼器操作。
ECAT-TRG4還具備靈活的擴展接口,可輕松連接攝像頭和氣槍。
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Texas Instruments
產品種類: 閉鎖
RoHS: 詳細信息
電路數量: 2 Circuit
邏輯類型: True
邏輯系列: 74AHC
極性: Non-Inverting
靜態電流: 4 uA
輸出線路數量: 3 Line
高電平輸出電流: - 8 mA
低電平輸出電流: 32 mA
傳播延遲時間: 9.5 ns
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 4.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: TSSOP-48
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
功能: 16 bit
高度: 1.15 mm
長度: 12.5 mm
輸出類型: 3-State
系列: SN74AHCT16373
類型: D-Type
寬度: 6.1 mm
商標: Texas Instruments
安裝風格: SMD/SMT
通道數量: 16 Channels
輸入線路數量: 16 Line
工作電源電壓: 4.5 V to 5.5 V
產品類型: Latches
復位類型: No Reset
工廠包裝數量: 2000
子類別: Logic ICs
單位重量: 223.200 mg
HiperPFS-4 IC將連續導通模式(CCM) PFC控制電路、升壓二極管和600V MOSFET集成在一個器件中。通過加入升壓二極管,減少了散熱片的安裝,從而使設計更簡單,溫升性能更佳。
HiperPFS-4 IC可以在20%以上負載時實現大于0.95的功率因數。
Qspeed升壓二極管針對連續導通模式PFC操作進行了優化,具有非常低的反向恢復損耗,其性能接近碳化硅器件,卻不會帶來成本的增加。
因此,當采用385VDC的恒壓母線供電時,集成的600V MOSFET能夠輕松滿足80%的降額要求。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)