ADuM7704調制器對半導體和無線通信測試需求而設計
發布時間:2021/8/10 8:42:00 訪問次數:210
電子測試與測量設備制造商Rohde & Schwarz新型NGU系列源測量單元(SMU)產品。
NGU系列源測量單元專為解決挑戰型應用對半導體和無線通信測試的需求而設計,具有超高精度和快速負載恢復時間,且所有型號均提供三年標準質保。
客戶現可通過e絡盟購買NGU系列產品,其中包括:R&S®NGU201 — 無線通信測試專業儀器,采用雙象限架構,可用作源端和吸收端來模擬電池和負載。
其數字電壓表功能極大地簡化了電氣測量過程。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 數模轉換器- DAC
RoHS: 詳細信息
系列: DAC714
分辨率: 16 bit
采樣比: 86 kS/s
通道數量: 1 Channel
穩定時間: 6 us
輸出類型: Voltage Buffered
接口類型: Serial
模擬電源電壓: +/- 15 V
數字電源電壓: +/- 15 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PDIP-16
封裝: Tube
特點: On-chip Offset and Gain Calibration, SDO
高度: 4.57 mm
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 525 mW
結構: R-2R
商標: Texas Instruments
DNL - 微分非線性: +/- 8 LSB
增益誤差: 0.2 % FSR
INL - 積分非線性: +/- 8 LSB
Pd-功率耗散: 600 mW
產品類型: DACs - Digital to Analog Converters
工廠包裝數量: 25
子類別: Data Converter ICs
電源電壓-最大: 16.5 V
電源電壓-最小: 11.4 V
單位重量: 1.054 g
ADuM7704的模擬輸入由高性能模擬調制器持續進行采樣,再轉換成單比特的數字輸出流,數據傳輸速率可達21MHz。
如果采用合適的sinc3數字濾波器,ADuM7704調制器可在78.1kSPS下實現82dB的信噪比 (SNR)。高SNR可以讓電流和電壓測量更精確,從而提升電機驅動器的性能。
ADuM7704將高速互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術與單片變壓器技術相結合,可實現片內隔離,從而提供優異的性能。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
電子測試與測量設備制造商Rohde & Schwarz新型NGU系列源測量單元(SMU)產品。
NGU系列源測量單元專為解決挑戰型應用對半導體和無線通信測試的需求而設計,具有超高精度和快速負載恢復時間,且所有型號均提供三年標準質保。
客戶現可通過e絡盟購買NGU系列產品,其中包括:R&S®NGU201 — 無線通信測試專業儀器,采用雙象限架構,可用作源端和吸收端來模擬電池和負載。
其數字電壓表功能極大地簡化了電氣測量過程。
制造商: Texas Instruments
產品種類: 數模轉換器- DAC
RoHS: 詳細信息
系列: DAC714
分辨率: 16 bit
采樣比: 86 kS/s
通道數量: 1 Channel
穩定時間: 6 us
輸出類型: Voltage Buffered
接口類型: Serial
模擬電源電壓: +/- 15 V
數字電源電壓: +/- 15 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: PDIP-16
封裝: Tube
特點: On-chip Offset and Gain Calibration, SDO
高度: 4.57 mm
轉換器數量: 1 Converter
功耗: 525 mW
結構: R-2R
商標: Texas Instruments
DNL - 微分非線性: +/- 8 LSB
增益誤差: 0.2 % FSR
INL - 積分非線性: +/- 8 LSB
Pd-功率耗散: 600 mW
產品類型: DACs - Digital to Analog Converters
工廠包裝數量: 25
子類別: Data Converter ICs
電源電壓-最大: 16.5 V
電源電壓-最小: 11.4 V
單位重量: 1.054 g
ADuM7704的模擬輸入由高性能模擬調制器持續進行采樣,再轉換成單比特的數字輸出流,數據傳輸速率可達21MHz。
如果采用合適的sinc3數字濾波器,ADuM7704調制器可在78.1kSPS下實現82dB的信噪比 (SNR)。高SNR可以讓電流和電壓測量更精確,從而提升電機驅動器的性能。
ADuM7704將高速互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術與單片變壓器技術相結合,可實現片內隔離,從而提供優異的性能。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)