39.5dB高增益或35.5dB低增益SiT9501提供更高性能和更小尺寸
發布時間:2021/8/23 8:42:29 訪問次數:128
第三代MEMS技術已準備就緒，并且可以僅以一半的功率將相位噪聲指標改善七倍。
SiT9501是首款運用該技術的產品，它延續了我們每一代產品性能都顯著提高的傳統。在光模塊等空間緊缺的應用中，SiT9501提供了更高性能和更小尺寸的完美組合。
在5G、AI和云計算的推動下，互聯網流量預計將大幅增長，數據中心的吞吐量正在不斷提高。
光模塊和數據通信設備需要提供更快的數據速率。室外5G基礎設施受到高溫、振動和氣流等極端環境的影響，會降低吞吐量。
類型描述類別分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel®零件狀態在售FET 類型N 和 P 溝道FET 功能邏輯電平門漏源電壓（Vdss）20V25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)6.7A，6.1A不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）22 毫歐 @ 5.7A，4.5V不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）850pF @ 10V功率 - 最大值1.6W，1.7W工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝8-TSSOP基本產品編號SI6562
兩種可選增益模式：39.5dB高增益或35.5dB低增益
38dBm的高性能OIP3和24dBm的OP1dB
射頻頻率范圍為1.8GHz至5.0GHz
75mA超低靜態電流
5V電源電壓
最高115°C TCB工作溫度
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
第三代MEMS技術已準備就緒，并且可以僅以一半的功率將相位噪聲指標改善七倍。
SiT9501是首款運用該技術的產品，它延續了我們每一代產品性能都顯著提高的傳統。在光模塊等空間緊缺的應用中，SiT9501提供了更高性能和更小尺寸的完美組合。
在5G、AI和云計算的推動下，互聯網流量預計將大幅增長，數據中心的吞吐量正在不斷提高。
光模塊和數據通信設備需要提供更快的數據速率。室外5G基礎設施受到高溫、振動和氣流等極端環境的影響，會降低吞吐量。
類型描述類別分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel®零件狀態在售FET 類型N 和 P 溝道FET 功能邏輯電平門漏源電壓（Vdss）20V25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)6.7A，6.1A不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）22 毫歐 @ 5.7A，4.5V不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）850pF @ 10V功率 - 最大值1.6W，1.7W工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝8-TSSOP基本產品編號SI6562
兩種可選增益模式：39.5dB高增益或35.5dB低增益
38dBm的高性能OIP3和24dBm的OP1dB
射頻頻率范圍為1.8GHz至5.0GHz
75mA超低靜態電流
5V電源電壓
最高115°C TCB工作溫度
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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