SiPM的高內部增益使其靈敏度可達到單光子水平
發布時間:2021/8/26 23:22:44 訪問次數:198
SiPM的高內部增益使其靈敏度可達到單光子水平，該功能與高PDE結合使用，可以檢測最微弱的返回信號。因此，即使是低反射目標，也能探測到更遠的距離。
LiDAR提供的高分辨率深度數據可在充滿挑戰的微光條件下即時準確地識別物體。
ArrayRDM-0112A20-QFN是首款符合車規的SiPM，將提供遠距離、高性價比的LiDAR方案，以實現下一層次的安全和自主性。
ArrayRDM-0112A20-QFN符合AEC-Q102和按照 IATF 16949開發。
制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:精密放大器 系列: 通道數量:1 Channel GBP-增益帶寬產品:5.6 MHz SR - 轉換速率 :3.4 V/us CMRR - 共模抑制比:105 dB 每個通道的輸出電流:27 mA Ib - 輸入偏流:300 pA Vos - 輸入偏置電壓 :400 uV en - 輸入電壓噪聲密度:4.2 nV/sqrt Hz 電源電壓-最大:40 V 電源電壓-最小:10 V 工作電源電流:4.2 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 關閉:No Shutdown 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 封裝:Tube 放大器類型:Low Noise Amplifier 高度:1.75 mm 產品:Precision Amplifiers 商標:Analog Devices 開發套件:DC417B 增益V/V:4500 V/mV In—輸入噪聲電流密度:0.01 pA/rtHz Ios - 輸入偏置電流 :100 pA 產品類型:Precision Amplifiers PSRR - 電源抑制比:98 dB 100 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:13.5 V 電壓增益 dB:74 dB
四合一MEMS傳感器采用緊湊封裝，精準測量氣體、濕度、溫度和氣壓，并降低總擁有成本（TCO）
英特爾固態盤670p的全新單元配置還以合理的價格為日常計算需求優化了大容量存儲，且有助于加快固態盤的普及。
基于成熟的BME680平臺,擁有領先市場的傳感器性能,并通過全新人工智能功能得到增強.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
SiPM的高內部增益使其靈敏度可達到單光子水平，該功能與高PDE結合使用，可以檢測最微弱的返回信號。因此，即使是低反射目標，也能探測到更遠的距離。
LiDAR提供的高分辨率深度數據可在充滿挑戰的微光條件下即時準確地識別物體。
ArrayRDM-0112A20-QFN是首款符合車規的SiPM，將提供遠距離、高性價比的LiDAR方案，以實現下一層次的安全和自主性。
ArrayRDM-0112A20-QFN符合AEC-Q102和按照 IATF 16949開發。
制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:精密放大器 系列: 通道數量:1 Channel GBP-增益帶寬產品:5.6 MHz SR - 轉換速率 :3.4 V/us CMRR - 共模抑制比:105 dB 每個通道的輸出電流:27 mA Ib - 輸入偏流:300 pA Vos - 輸入偏置電壓 :400 uV en - 輸入電壓噪聲密度:4.2 nV/sqrt Hz 電源電壓-最大:40 V 電源電壓-最小:10 V 工作電源電流:4.2 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 關閉:No Shutdown 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 封裝:Tube 放大器類型:Low Noise Amplifier 高度:1.75 mm 產品:Precision Amplifiers 商標:Analog Devices 開發套件:DC417B 增益V/V:4500 V/mV In—輸入噪聲電流密度:0.01 pA/rtHz Ios - 輸入偏置電流 :100 pA 產品類型:Precision Amplifiers PSRR - 電源抑制比:98 dB 100 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:13.5 V 電壓增益 dB:74 dB
四合一MEMS傳感器采用緊湊封裝，精準測量氣體、濕度、溫度和氣壓，并降低總擁有成本（TCO）
英特爾固態盤670p的全新單元配置還以合理的價格為日常計算需求優化了大容量存儲，且有助于加快固態盤的普及。
基于成熟的BME680平臺,擁有領先市場的傳感器性能,并通過全新人工智能功能得到增強.
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
相關技術資料- 11-2712位模數轉換器 (ADC)參數特點技術封裝
- 11-27三角函數加速器 (TMU)系列
- 11-27單芯片“艙行泊”一體化方案探究
- 11-27CoolSiC肖特基二極管技術參數應用設計
- 11-27納微GaN Safe系列NV6515（650V,32mΩ max）IC
- 11-27臨界導通模式（CrM）詳情
- 11-27GaN HEMT IC+Si MOSFET組合
- 11-26可編程多路復用通用輸入/輸出 (GPIO)
- 11-26全新實時微控制器系列優特點封裝設計
- 11-26新款四維圖艙行泊一體單芯片SoC解決方案
- 11-26Easy1B/2B系列功率模塊優勢特點及應用
- 11-26EiceDriver系列柵極驅動芯片的研究與應用
公網安備44030402000607
