CD的基本數據更新速率為44.1kSPS減小整體系統尺寸和成本
發布時間:2021/8/28 13:01:06 訪問次數:311
SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器。它討論了SiC MOSFET能夠在高電壓,高頻率和高溫度下工作的優勢。它還討論了SiC MOSFET如何將整體系統效率提高10%以上,并具有更高的開關能力,從而可以減小整體系統尺寸和成本。
碳化硅(SiC)功率半導體正在迅速進入商業市場,與傳統的基于硅的功率半導體相比,具有許多優勢。
技術優勢加上較低的成本,使得SiC功率半導體在工業電機控制,感應加熱和工業電源以及可再生能源等應用中得到了快速采用。
制造商:Cypress Semiconductor產品種類:射頻微控制器 - MCURoHS: 核心:工作頻率:2.4 GHz數據總線寬度:32 bit程序存儲器大小:320 kB數據 RAM 大小:60 kB最大時鐘頻率:24 MHzADC分辨率:16 bit工作電源電壓:1.2 V最大工作溫度:+ 70 C封裝 / 箱體:QFN-32安裝風格:SMD/SMT封裝:Reel輸出功率:4 dBm程序存儲器類型:EEPROM系列:技術:Si商標:Cypress Semiconductor數據 Ram 類型:RAM接口類型:UART輸入/輸出端數量:14 I/O最小工作溫度:0 CADC通道數量:9 Channel定時器數量:4 Timer產品類型:RF Microcontrollers - MCU2500子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
過采樣和數字濾波有助于降低對ADC前置的抗混疊濾波器的要求。重構DAC可以通過類似的方式運用過采樣和插值原理。
例如,數字音頻CD播放器常常采用過采樣,其中來自CD的基本數據更新速率為44.1 kSPS。
早期CD播放器使用傳統的二進制DAC,并將“0”插入并行數據中,從而將有效更新速率提高到基本吞吐速率的4倍、8倍或16倍。
4×、8×或16×數據流通過一個數字插值濾波器,產生額外的數據點。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)
SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器。它討論了SiC MOSFET能夠在高電壓,高頻率和高溫度下工作的優勢。它還討論了SiC MOSFET如何將整體系統效率提高10%以上,并具有更高的開關能力,從而可以減小整體系統尺寸和成本。
碳化硅(SiC)功率半導體正在迅速進入商業市場,與傳統的基于硅的功率半導體相比,具有許多優勢。
技術優勢加上較低的成本,使得SiC功率半導體在工業電機控制,感應加熱和工業電源以及可再生能源等應用中得到了快速采用。
制造商:Cypress Semiconductor產品種類:射頻微控制器 - MCURoHS: 核心:工作頻率:2.4 GHz數據總線寬度:32 bit程序存儲器大小:320 kB數據 RAM 大小:60 kB最大時鐘頻率:24 MHzADC分辨率:16 bit工作電源電壓:1.2 V最大工作溫度:+ 70 C封裝 / 箱體:QFN-32安裝風格:SMD/SMT封裝:Reel輸出功率:4 dBm程序存儲器類型:EEPROM系列:技術:Si商標:Cypress Semiconductor數據 Ram 類型:RAM接口類型:UART輸入/輸出端數量:14 I/O最小工作溫度:0 CADC通道數量:9 Channel定時器數量:4 Timer產品類型:RF Microcontrollers - MCU2500子類別:Wireless & RF Integrated Circuits
過采樣和數字濾波有助于降低對ADC前置的抗混疊濾波器的要求。重構DAC可以通過類似的方式運用過采樣和插值原理。
例如,數字音頻CD播放器常常采用過采樣,其中來自CD的基本數據更新速率為44.1 kSPS。
早期CD播放器使用傳統的二進制DAC,并將“0”插入并行數據中,從而將有效更新速率提高到基本吞吐速率的4倍、8倍或16倍。
4×、8×或16×數據流通過一個數字插值濾波器,產生額外的數據點。
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