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在20KHz時的最佳效率相比N位輸入數據字以速率fc接收

發布時間:2021/8/28 13:20:26 訪問次數:512

在奈奎斯特頻率fc/2,重構信號幅度降低3.92 dB。如果需要,可以使用一個反sin(x)/x濾波器來補償此效應。基波信號的鏡像作為采樣函數的結果出現,并且也通過sin(x)/x函數衰減。

過采樣/插值DAC的基本原理。N位輸入數據字以速率fc接收。數字插值濾波器以等于過采樣頻率Kfc的時鐘速率工作,并插入額外的數據點。

在奈奎斯特采樣頻率下,對模擬抗鏡像濾波器的要求可能相當高。通過過采樣和插值,可以大大降低對該濾波器的要求

制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:RS-422/RS-485 接口 IC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 系列: 功能:Transceiver 數據速率:250 kb/s 激勵器數量:1 Driver 接收機數量:1 Receiver 電源電壓-最小:4.75 V 電源電壓-最大:5.25 V 工作電源電壓:5 V 工作電源電流:5.5 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 封裝:Tube 高度:1.75 mm 輸入電壓:5 V 輸出電流:250 mA 輸出類型:3-State 產品:RS-422/RS-485 Transceivers 類型:Transceiver 商標:Analog Devices 關閉:Shutdown 雙工:Half Duplex ESD 保護:15 kV 產品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 支持協議:RS-422, RS-485 100 子類別:Interface ICs 單位重量:600 mg

在CREE進行的評估中,比較了第二代1200V/20A SiC MOSFET與使用10 KW硬開關交錯式Boost DC / DC轉換器的硅高速1200 V / 40 A H3 IGBT。

開關頻率是原來的五倍,SiC解決方案在100KHz時仍可實現99.3%的最大效率,與IGBT解決方案在20 KHz時的最佳效率相比,損耗降低了18%。

CREE最近發布的C2M MOSFET系列為工程師提供了廣泛的,價格具有競爭力的1200 V和1700 V SiC MOSFET,適用于各種應用。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

在奈奎斯特頻率fc/2,重構信號幅度降低3.92 dB。如果需要,可以使用一個反sin(x)/x濾波器來補償此效應。基波信號的鏡像作為采樣函數的結果出現,并且也通過sin(x)/x函數衰減。

過采樣/插值DAC的基本原理。N位輸入數據字以速率fc接收。數字插值濾波器以等于過采樣頻率Kfc的時鐘速率工作,并插入額外的數據點。

在奈奎斯特采樣頻率下,對模擬抗鏡像濾波器的要求可能相當高。通過過采樣和插值,可以大大降低對該濾波器的要求

制造商:Analog Devices Inc. 產品種類:RS-422/RS-485 接口 IC 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 系列: 功能:Transceiver 數據速率:250 kb/s 激勵器數量:1 Driver 接收機數量:1 Receiver 電源電壓-最小:4.75 V 電源電壓-最大:5.25 V 工作電源電壓:5 V 工作電源電流:5.5 mA 最小工作溫度:0 C 最大工作溫度:+ 70 C 封裝:Tube 高度:1.75 mm 輸入電壓:5 V 輸出電流:250 mA 輸出類型:3-State 產品:RS-422/RS-485 Transceivers 類型:Transceiver 商標:Analog Devices 關閉:Shutdown 雙工:Half Duplex ESD 保護:15 kV 產品類型:RS-422/RS-485 Interface IC 支持協議:RS-422, RS-485 100 子類別:Interface ICs 單位重量:600 mg

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開關頻率是原來的五倍,SiC解決方案在100KHz時仍可實現99.3%的最大效率,與IGBT解決方案在20 KHz時的最佳效率相比,損耗降低了18%。

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