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近于零反向恢復電流高浪涌保護能力和175°C最大工作結溫

發布時間:2021/9/13 13:03:09 訪問次數:173

變換器的軟啟動可以設置,能夠工作可靠性,還為原邊恒流保護提供逐脈沖電流檢測功能。

300ns預設電流檢測消隱時間可以過濾變壓器漏感產生的振蕩,確保芯片在高邊開關通斷期間具有更高的穩定性。

芯片內置過壓保護和熱關斷保護,外部有時鐘同步和開關頻率設置引腳。

兩款變換器的評估板有助于加快單雙輸出車規變換器的開發周期。STEVAL-A6986IV1有18V 和-4.5V雙電壓隔離輸出.

制造商:Vishay產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續漏極電流:2.2 ARds On-漏源導通電阻:270 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:17 nC最小工作溫度:- 50 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Vishay Semiconductors配置:Single下降時間:12 ns正向跨導 - 最小值:4.3 S高度:1.45 mm長度:2.9 mm產品類型:MOSFET上升時間:15 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel典型關閉延遲時間:20 ns典型接通延遲時間:10 ns寬度:1.6 mm零件號別名:SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3單位重量:8 mg

碳化硅(SiC)二極管產品組合進行擴充,新增1700 V級產品。

LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二極管 采用TO-247-2L封裝,可選擇額定電流(10A、25A或50A)。 這些產品為電力電子系統設計人員提供了多種性能優勢,包括接近于零的反向恢復電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應用。

在電源設計中使用碳化硅二極管而不是基于傳統硅基技術的二極管有助于設計人員開發更節能的電源轉換器,從而節省能源并降低與冷卻電力電子設備相關的成本。

(素材來源:eepw和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝)

變換器的軟啟動可以設置,能夠工作可靠性,還為原邊恒流保護提供逐脈沖電流檢測功能。

300ns預設電流檢測消隱時間可以過濾變壓器漏感產生的振蕩,確保芯片在高邊開關通斷期間具有更高的穩定性。

芯片內置過壓保護和熱關斷保護,外部有時鐘同步和開關頻率設置引腳。

兩款變換器的評估板有助于加快單雙輸出車規變換器的開發周期。STEVAL-A6986IV1有18V 和-4.5V雙電壓隔離輸出.

制造商:Vishay產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3晶體管極性:P-Channel通道數量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續漏極電流:2.2 ARds On-漏源導通電阻:270 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:17 nC最小工作溫度:- 50 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:2.5 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Vishay Semiconductors配置:Single下降時間:12 ns正向跨導 - 最小值:4.3 S高度:1.45 mm長度:2.9 mm產品類型:MOSFET上升時間:15 ns系列:3000子類別:MOSFETs晶體管類型:1 P-Channel典型關閉延遲時間:20 ns典型接通延遲時間:10 ns寬度:1.6 mm零件號別名:SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3單位重量:8 mg

碳化硅(SiC)二極管產品組合進行擴充,新增1700 V級產品。

LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二極管 采用TO-247-2L封裝,可選擇額定電流(10A、25A或50A)。 這些產品為電力電子系統設計人員提供了多種性能優勢,包括接近于零的反向恢復電流、高浪涌保護能力和175°C的最大工作結溫,因此它們非常適合需要提高效率、可靠性和簡化熱管理的應用。

在電源設計中使用碳化硅二極管而不是基于傳統硅基技術的二極管有助于設計人員開發更節能的電源轉換器,從而節省能源并降低與冷卻電力電子設備相關的成本。

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