磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層
發布時間:2021/9/26 8:10:00 訪問次數:436
LTO9,將本公司獨有的“NANOCUBIC技術”*5微粒子化后的鋇鐵氧體磁性體(以下稱為“BaFe磁性體”)均勻分散,涂有磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層。
實現了最大容量45TB(未壓縮時18TB),是LTO8的1.5倍,同時最大可傳輸1000MB/秒(未壓縮時400MB/秒)*6的高速數據,發揮了很高的便利性。
而且,磁帶在數據保存時不需要經常通電,所以與HDD相比,可以大幅降低數據保存時的耗電量。
另外,它可以在與網絡隔離的狀態下保有數據,可以降低因網絡攻擊等造成的數據損壞、遺失的風險。
制造商:onsemi 產品種類:整流器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:1 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.7 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復時間:35 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:onsemi / Fairchild 高度:2.2 mm 長度:4.75 mm Pd-功率耗散:1.47 W 產品:Rectifiers 產品類型:Rectifiers 工廠包裝數量7500 子類別:Diodes & Rectifiers 寬度:2.95 mm 單位重量:106 mg
當OTF/SH_DN 被拉低且運算放大器關閉時，運算放大器處于開環狀態，即使施加了負反饋也是如此。 發生這種情況是由于禁用偏置時運算放大器中的開環增益損失。
如果芯片溫度超過安全限制，則所有輸出都將被禁用，并且 OTF/SH_DN 引腳被驅動為低電平。
在芯片溫度下降到安全水平后，操作會自動恢復。 OTF/SH_DN 引腳在操作恢復后釋放。 在高溫下運行管芯時，運算放大器會在熱關斷滯后之間切換打開和關閉。
在這種情況下，必須考慮芯片溫度的安全限制。 請勿在熱滯狀態下長時間連續運行設備。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
LTO9,將本公司獨有的“NANOCUBIC技術”*5微粒子化后的鋇鐵氧體磁性體(以下稱為“BaFe磁性體”)均勻分散,涂有磁帶表面的波紋度和厚度不均的平滑薄層磁性層。
實現了最大容量45TB(未壓縮時18TB),是LTO8的1.5倍,同時最大可傳輸1000MB/秒(未壓縮時400MB/秒)*6的高速數據,發揮了很高的便利性。
而且,磁帶在數據保存時不需要經常通電,所以與HDD相比,可以大幅降低數據保存時的耗電量。
另外,它可以在與網絡隔離的狀態下保有數據,可以降低因網絡攻擊等造成的數據損壞、遺失的風險。
制造商:onsemi 產品種類:整流器 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:1 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:1.7 V 最大浪涌電流:30 A Ir - 反向電流 :5 uA 恢復時間:35 ns 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:onsemi / Fairchild 高度:2.2 mm 長度:4.75 mm Pd-功率耗散:1.47 W 產品:Rectifiers 產品類型:Rectifiers 工廠包裝數量7500 子類別:Diodes & Rectifiers 寬度:2.95 mm 單位重量:106 mg
當OTF/SH_DN 被拉低且運算放大器關閉時，運算放大器處于開環狀態，即使施加了負反饋也是如此。 發生這種情況是由于禁用偏置時運算放大器中的開環增益損失。
如果芯片溫度超過安全限制，則所有輸出都將被禁用，并且 OTF/SH_DN 引腳被驅動為低電平。
在芯片溫度下降到安全水平后，操作會自動恢復。 OTF/SH_DN 引腳在操作恢復后釋放。 在高溫下運行管芯時，運算放大器會在熱關斷滯后之間切換打開和關閉。
在這種情況下，必須考慮芯片溫度的安全限制。 請勿在熱滯狀態下長時間連續運行設備。
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