交流400V、輸出48W以下的輔助電源時，與采用普通產品的配置相比，部件數量顯著減少（將散熱板和12個部件縮減為1個）。

這不僅可以降低部件故障的風險，還通過SiC MOSFET將功率轉換效率提高多達5％。因此，不僅有助于大幅削減工廠的安裝成本，還可以提供更加小型、更高可靠性及更節能的解決方案。

與它們所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了極大的提高，而且成本溢價大幅下降，使得更多的應用能夠從這些器件中受益，從而獲得更好的系統性能和價值。

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-7

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 49 V

Id-連續漏極電流: 36 A

Rds On-漏源導通電阻: 6.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 155 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 36 ns

正向跨導 - 最小值: 30 S

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 37 ns

系列: BTS282

工廠包裝數量: 1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 70 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 9.25 mm

零件號別名: BTS282Z E3180A SP000910848

單位重量: 1.600 g

SiC MOSFET技術支持Midnite Solar最新的電源轉換產品設計，我們確實很高興看到先進的功率器件和系統解決方案為我們的尊貴客戶帶來積極的改變。

數據采集插件允許在設計過程中訪問任意節點信號，可以將信號送至矢量信號發生器并應用于可用硬件，從而實現對混合硬件/仿真實現的系統級分析。

R&S VSESIM-VSS 的一項重要特色是支持直接數字預失真 (DPD) 技術，在功率放大器開發的仿真階段就可以驗證線性化效果。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）