新型可變增益放大器,旨在滿足儀器儀表,傳感器,雷達,無線通信,自動增益控制環路等應用的需求。

設計者在使用可變增益放大器時，能夠通過控制直流電壓來改變寬帶增益響應的水平，并為需要高動態范圍的信號鏈提供卓越的性能。

Pasternack 12款新型可變增益放大器可在整個頻帶內提供20dB（典型值）的連續可變增益控制，從而為設計者提供更大的動態范圍和設置信號水平的能力。

這些新設計結合使用GaAs FET和MMIC固定增益模塊，可在整個頻帶提供低噪聲系數和中等輸出功率。

制造商:ON Semiconductor 產品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續漏極電流:92 A Rds On-漏源導通電阻:59 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:67 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:80 W 通道模式:Enhancement 商標名:PowerTrench 封裝:Tube 配置:Single 高度:16.3 mm 長度:10.67 mm 系列:FDP8896 晶體管類型:1 N-Channel 類型:MOSFET 寬度:4.7 mm 商標:ON Semiconductor / Fairchild 下降時間:44 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:103 ns 工廠包裝數量:800 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:56 ns 典型接通延遲時間:9 ns 零件號別名:FDP8896_NL 單位重量:2 g

此外，緊湊集成裝配設計減少了組件數量，降低了系統復雜性。

而FQ-10E 10Gbps的光信號為1,400 ps/nm，它的光學帶寬為>/= 0.2 nm，通道帶寬(-1 dB)為: >/= 0.3 nm，群時延波紋最大為+/- 6 ps，插入損耗最大為4dB，極化模式色散最大為0.5ps，功耗為3W。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）