擾亂速率小于1E-10誤差/位檢測和修正(EDAC)功能嵌入RAM
發布時間:2021/10/28 13:13:31 訪問次數:121
USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預算有限，所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預算影響的器件，希望為設計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型，工程師可以在ESD電壓鉗位（保護級別）和RF性能之間找到平衡。
PESD5V0R1BDSF針對低鉗位進行了優化，并且能提供極低的插入損耗和回波損耗，在10 GHz時分別為‑0.28 dB和‑19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF針對RF性能進行了優化，其插入損耗和回波損耗在10 GHz時分別為-0.25 dB和-19.4 dB。
RTAX-S器件提供固有的單事件閉鎖(SEL)免疫性，大于37MeV-cm2/mg SEU的容量和總的離子劑量(TID)性能超過200 Krads。
器件還具有擾亂速率小于1E-10誤差/位-天的具有誤差檢測和修正(EDAC)功能的嵌入RAM。
基于Actel的AX架構和可升級的平臺，RTAX-S包括有幾種先進的架構：嵌入FIFO控制器，能利用高邏輯模塊的全斷裂SuperCluster，能對器件提供嚴格時鐘歪斜的核心片狀結構和整個片上可用到八個全球時鐘的靈活時鐘結構，不再需要時鐘平面布線，容易進行系統設計。
USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預算有限，所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預算影響的器件，希望為設計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型，工程師可以在ESD電壓鉗位（保護級別）和RF性能之間找到平衡。
PESD5V0R1BDSF針對低鉗位進行了優化，并且能提供極低的插入損耗和回波損耗，在10 GHz時分別為‑0.28 dB和‑19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF針對RF性能進行了優化，其插入損耗和回波損耗在10 GHz時分別為-0.25 dB和-19.4 dB。
RTAX-S器件提供固有的單事件閉鎖(SEL)免疫性，大于37MeV-cm2/mg SEU的容量和總的離子劑量(TID)性能超過200 Krads。
器件還具有擾亂速率小于1E-10誤差/位-天的具有誤差檢測和修正(EDAC)功能的嵌入RAM。
基于Actel的AX架構和可升級的平臺，RTAX-S包括有幾種先進的架構：嵌入FIFO控制器，能利用高邏輯模塊的全斷裂SuperCluster，能對器件提供嚴格時鐘歪斜的核心片狀結構和整個片上可用到八個全球時鐘的靈活時鐘結構，不再需要時鐘平面布線，容易進行系統設計。
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