基于Arm® Cortex®-M23內核MCU的最新成員，GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運行模式和休眠模式提供了優異的功耗效率和優化的處理性能。

與業界同類低功耗產品相比，具備更加豐富的外設資源和應用靈活性，從而為系統級能源效率的持續提升開辟道路，廣泛適用于工業表計、小型消費電子設備、便攜式醫療設備、電池管理系統、數據采集與傳輸等典型市場。

GD32L233產品組合提供了4種封裝類型共10個型號選擇，目前已經開始提供樣片和開發板卡。

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續漏極電流: 11 A

Rds On-漏源導通電阻: 478 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 63 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

商標: Infineon Technologies

下降時間: 10 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 6 ns

1000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 48 ns

典型接通延遲時間: 9 ns

零件號別名: IPB65R225C7 SP002447552

單位重量: 324 mg

REG710X不需要任何的電感，采用1MHz的開關頻率，可以使用陶瓷電容而不必用昂貴的鉭電容。該器件包括有超溫和過流保護，自動限制浪涌電流，以保護系統和抑制電磁干擾，從而使設計簡單化。

REG71055降壓-升壓轉換器能從輸入電壓3.0V-5.5V維持固定輸出電壓5.5V，用來驅動白光LED。為了進一步節省能源和延長電池壽命，該器件的靜態功耗典型值為65uA。

基于超低功耗工藝制程。GD32L233系列MCU采用了業界領先的40nm超低功耗(ULP)制造技術，低漏電物理單元從硬件層面降低功耗。