NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術的技術和抗反射的
發布時間:2021/11/1 21:32:41 訪問次數:389
兩款PESD5V0R1BxSF器件，即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護二極管。
該器件采用NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術的技術，可確保筆記本電腦和外圍設備、智能手機及其他便攜式電子設備上的USB4TM（高達2 x 20 Gbps）數據線擁有最佳信號完整性。
因為USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預算有限，所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預算影響的器件，希望為設計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型，工程師可以在ESD電壓鉗位（保護級別）和RF性能之間找到平衡。
制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數據總線寬度:32 bit組織:2 G x 32存儲容量:64 Gbit最大時鐘頻率:2133 MHz電源電壓-最大:1.1 V最小工作溫度:- 25 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron產品類型:DRAM1360子類別:Memory & Data Storage
Digital Ink有許多優點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.
材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.
該產品很適合用在小型手提單顆電池的音頻應用和消費類電子產品如個人CD和迷你型CD盤播放器,電子玩具以及游戲.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
兩款PESD5V0R1BxSF器件，即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護二極管。
該器件采用NexperiaTrEOS的主動可控硅整流技術的技術，可確保筆記本電腦和外圍設備、智能手機及其他便攜式電子設備上的USB4TM（高達2 x 20 Gbps）數據線擁有最佳信號完整性。
因為USB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預算有限，所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護對總預算影響的器件，希望為設計工程師提供支持。
通過提供這兩種器件選型，工程師可以在ESD電壓鉗位（保護級別）和RF性能之間找到平衡。
制造商:Micron Technology產品種類:動態隨機存取存儲器RoHS: 類型:SDRAM Mobile - LPDDR4安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:VFBGA-200數據總線寬度:32 bit組織:2 G x 32存儲容量:64 Gbit最大時鐘頻率:2133 MHz電源電壓-最大:1.1 V最小工作溫度:- 25 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Tray商標:Micron產品類型:DRAM1360子類別:Memory & Data Storage
Digital Ink有許多優點:傳感器的厚度范圍很寬,從0.36mm到50.8mm;傳感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.
材料的光傳輸率在550nm波長時高達95%;具有抗細菌的性能(獨立測試表明抗E大腸桿菌和葡萄球菌);鋼筆書寫速度可達1016mm/秒以及抗靜電和使用壽命10年等.
該產品很適合用在小型手提單顆電池的音頻應用和消費類電子產品如個人CD和迷你型CD盤播放器,電子玩具以及游戲.
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
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