集成的高性能模擬前端(AFE)組合功耗效率和優化的處理性能
發布時間:2021/11/2 12:07:03 訪問次數:415
基于Arm® Cortex®-M23內核MCU的最新成員,GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運行模式和休眠模式提供了優異的功耗效率和優化的處理性能。
與業界同類低功耗產品相比,具備更加豐富的外設資源和應用靈活性,從而為系統級能源效率的持續提升開辟道路,廣泛適用于工業表計、小型消費電子設備、便攜式醫療設備、電池管理系統、數據采集與傳輸等典型市場。
GD32L233產品組合提供了4種封裝類型共10個型號選擇,目前已經開始提供樣片和開發板卡。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續漏極電流:40 A Rds On-漏源導通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:70 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標:STMicroelectronics 配置:Single 下降時間:9.8 ns 正向跨導 - 最小值:- 產品類型:MOSFET 上升時間:27 ns 工廠包裝數量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:131 ns 典型接通延遲時間:27 ns 單位重量:6 g
AFG1022X任意波形函數發生器提供25MHz帶寬,2個輸出通道,1uHz到25MHz輸出頻率。
它把工業標準的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產品,和第一代解決方案相比之,降低了系統芯片總數量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時降低了成本,加速產品走向市場.
MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專用的MCU特別適合用在開發有專門特性的電子能源電表,如自動讀表(AMR),預付費智能卡和多種比率的帳單.
基于Arm® Cortex®-M23內核MCU的最新成員,GD32L233系列主流型低功耗微控制器。GD32L233系列MCU以多種運行模式和休眠模式提供了優異的功耗效率和優化的處理性能。
與業界同類低功耗產品相比,具備更加豐富的外設資源和應用靈活性,從而為系統級能源效率的持續提升開辟道路,廣泛適用于工業表計、小型消費電子設備、便攜式醫療設備、電池管理系統、數據采集與傳輸等典型市場。
GD32L233產品組合提供了4種封裝類型共10個型號選擇,目前已經開始提供樣片和開發板卡。
制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續漏極電流:40 A Rds On-漏源導通電阻:65 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:70 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 商標:STMicroelectronics 配置:Single 下降時間:9.8 ns 正向跨導 - 最小值:- 產品類型:MOSFET 上升時間:27 ns 工廠包裝數量600 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關閉延遲時間:131 ns 典型接通延遲時間:27 ns 單位重量:6 g
AFG1022X任意波形函數發生器提供25MHz帶寬,2個輸出通道,1uHz到25MHz輸出頻率。
它把工業標準的超低功耗閃存MCU和集成的高性能模擬前端(AFE)組合在單一芯片上.新的MSP430FE42x系列產品,和第一代解決方案相比之,降低了系統芯片總數量80%,改善了性能,增加了可靠性,同時降低了成本,加速產品走向市場.
MSP430FE42x具有全編程的通信能力,這種專用的MCU特別適合用在開發有專門特性的電子能源電表,如自動讀表(AMR),預付費智能卡和多種比率的帳單.