不同耐壓等級引腳1.6Gb數據速率提供集總帶寬6.4Gbps
發布時間:2021/11/4 19:01:44 訪問次數:388
用于3D圖像的256Mb的圖像雙倍數據速率(GDDR2) SDRAM K4N55323AF,該存儲器能使12MB超高容量圖像存儲器成為可能,支持3D圖像軟件擴展市場.
這種新器件已經提供給主要的圖像卡制造商,采用JEDEC標準的144針FBGA封裝,配置為8Mx32,工作電壓為2.5V/1.8V,速度有800,700,600,550和500ns幾種.該256Mb GDDR2 SDRAM也支持GDDR3.
K4N55323AF采用新技術諸如芯片終止(ODT- On-Die-Termination),片外驅動器校準(OCD),和圖像DDR SDRAM相比,把CAS性能提升50%.每秒引腳1.6Gb的數據速率提供集總帶寬6.4Gbps.
制造商:Texas Instruments產品種類:RS-232接口集成電路RoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSSOP-16系列:TRS3232E-Q1功能:Transceiver數據速率:250 kb/s激勵器數量:2 Driver接收機數量:2 Receiver雙工:Full Duplex電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:3 V工作電源電流:1 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments工作電源電壓:3.3 V, 5 V產品:RS-232 Transceivers產品類型:RS-232 Interface IC傳播延遲時間:300 ns工廠包裝數量:2000子類別:Interface ICs單位重量:62 mg
此外,高速存取閃存的需要還因為可以玩游戲和動畫.同時,液晶電視和機頂盒也需要大容量的存儲器如128Mb,用來存儲軟件或TV節目清單,以及用在地面全數字廣播部分的修正圖像處理,這是在北美,日本和歐洲新出現的事業.
只要減少磊晶層造成的通態電阻，就能有效降低總通態電阻值；而碳化硅功率晶體根據不同耐壓等級,通道電阻（Channel resistance， Rch）占總通態電阻的比值也有所不同。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
用于3D圖像的256Mb的圖像雙倍數據速率(GDDR2) SDRAM K4N55323AF,該存儲器能使12MB超高容量圖像存儲器成為可能,支持3D圖像軟件擴展市場.
這種新器件已經提供給主要的圖像卡制造商,采用JEDEC標準的144針FBGA封裝,配置為8Mx32,工作電壓為2.5V/1.8V,速度有800,700,600,550和500ns幾種.該256Mb GDDR2 SDRAM也支持GDDR3.
K4N55323AF采用新技術諸如芯片終止(ODT- On-Die-Termination),片外驅動器校準(OCD),和圖像DDR SDRAM相比,把CAS性能提升50%.每秒引腳1.6Gb的數據速率提供集總帶寬6.4Gbps.
制造商:Texas Instruments產品種類:RS-232接口集成電路RoHS: 詳細信息安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSSOP-16系列:TRS3232E-Q1功能:Transceiver數據速率:250 kb/s激勵器數量:2 Driver接收機數量:2 Receiver雙工:Full Duplex電源電壓-最大:5.5 V電源電壓-最小:3 V工作電源電流:1 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 125 C資格:AEC-Q100封裝:Reel封裝:Cut Tape封裝:MouseReel商標:Texas Instruments工作電源電壓:3.3 V, 5 V產品:RS-232 Transceivers產品類型:RS-232 Interface IC傳播延遲時間:300 ns工廠包裝數量:2000子類別:Interface ICs單位重量:62 mg
此外,高速存取閃存的需要還因為可以玩游戲和動畫.同時,液晶電視和機頂盒也需要大容量的存儲器如128Mb,用來存儲軟件或TV節目清單,以及用在地面全數字廣播部分的修正圖像處理,這是在北美,日本和歐洲新出現的事業.
只要減少磊晶層造成的通態電阻，就能有效降低總通態電阻值；而碳化硅功率晶體根據不同耐壓等級,通道電阻（Channel resistance， Rch）占總通態電阻的比值也有所不同。
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