控制IC的相同功率模塊并聯SM-ChiP模塊中實現抗干擾功能
發布時間:2021/11/22 13:09:14 訪問次數:113
西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實現的工作，在其助力下，我們現在可以在大型模擬電路的流片過程中，充滿信心地評估EM/IR。
除了出色的模擬功能之外，西門子全新的數字化 mPower 可擴展式 EM/IR 引擎還可為所有數字 IC 設計進行分析。
這種數字化解決方案可以輕松地集成到現有各種設計流程之中，提供世界一流的電源分析功能，每臺機器僅需消耗很低的存儲容量即可實現，即便對于最大規模的數字設計也依然適用。
SiC MOS由于具有更小的開關損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統的可靠性。
與使用硅器件相比，更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業設備實現顯著小型化、高可靠性和節能化。
從電源到負載點的完整解決方案由四個 SM-ChiP 組成：一個 BCM3423（標稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉換器，采用 34 x 23 毫米封裝）、一個 PRM2919（33V 標稱 200W 穩壓器.
采用 29 x 19 毫米封裝）和兩個 VTM2919 電流倍增器（一個 K = 1/32、電流為 150A 時，輸出電壓為 0.8V；一個 K = 1/8，電流為 25A 時，輸出電壓為 3.4V）。
(素材來源：eepw.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）
西門子的mPower解決方案幫助我們做到了以前難以實現的工作，在其助力下，我們現在可以在大型模擬電路的流片過程中，充滿信心地評估EM/IR。
除了出色的模擬功能之外，西門子全新的數字化 mPower 可擴展式 EM/IR 引擎還可為所有數字 IC 設計進行分析。
這種數字化解決方案可以輕松地集成到現有各種設計流程之中，提供世界一流的電源分析功能，每臺機器僅需消耗很低的存儲容量即可實現，即便對于最大規模的數字設計也依然適用。
SiC MOS由于具有更小的開關損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統的可靠性。
與使用硅器件相比，更小的損耗同時意味著可以工作在更高的開關頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業設備實現顯著小型化、高可靠性和節能化。
從電源到負載點的完整解決方案由四個 SM-ChiP 組成：一個 BCM3423（標稱 100V、300 瓦 K = 1/3 的母線轉換器，采用 34 x 23 毫米封裝）、一個 PRM2919（33V 標稱 200W 穩壓器.
采用 29 x 19 毫米封裝）和兩個 VTM2919 電流倍增器（一個 K = 1/32、電流為 150A 時，輸出電壓為 0.8V；一個 K = 1/8，電流為 25A 時，輸出電壓為 3.4V）。
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